[实用新型]一种新型驱动压电陶瓷类负载的逆变拓扑结构

权利要求书

1.一种新型驱动压电陶瓷类负载的逆变拓扑结构，其特征在于，包括：Input为逆变拓扑的输入源，所述输入源连接MOS管Q1、MOS管Q2，所述MOS管Q1、MOS管Q2按照压电陶瓷本身固有的谐振频率将输入电压变换为该频率的PWM波，若满功率输出时为带死区的方波，若降功率输出时采用移相控制或脉宽调制控制，所述MOS管Q1、MOS管Q2与谐振电容Cr1、谐振电容Cr2并联，且所述谐振电容Cr1、谐振电容Cr2与电感Lr形成谐振，该谐振使得MOS管Q1、MOS管Q2实现软开关，其谐振腔谐振频率小于压电陶瓷的固有谐振频率，使谐振工作点处于感性区，所述电感Lr串联电感Lm。

2.根据权利要求1所述的一种新型驱动压电陶瓷类负载的逆变拓扑结构，其特征在于：所述输入源为恒压源，且是直流电压或是整流后的馒头波电压。

3.根据权利要求1所述的一种新型驱动压电陶瓷类负载的逆变拓扑结构，其特征在于：所述MOS管Q1、MOS管Q2为功率开关器件，为MOS管。

4.根据权利要求1所述的一种新型驱动压电陶瓷类负载的逆变拓扑结构，其特征在于：所述电感Lr与谐振电容Cr1、谐振电容Cr2构成谐振后，该谐振电路不限定是半桥谐振或全桥谐振亦或是单个谐振电容Cr的拓扑，在进行参数设计时谐振腔谐振频率要小于压电陶瓷的固有谐振频率，即使得工作时，谐振腔处于感性区；该谐振频率计算公式为

5.根据权利要求1所述的一种新型驱动压电陶瓷类负载的逆变拓扑结构，其特征在于：所述电感Lm为高频功率传输变压器，次边的激磁电感和压电陶瓷的内部电容进行并联匹配，若应用于不同数量压电陶瓷阵列时，不需要再对硬件电路参数进行调整，即可完成适配。

6.根据权利要求5所述的一种新型驱动压电陶瓷类负载的逆变拓扑结构，其特征在于：变压器次边激磁电感的感量设计应结合压电陶瓷内部电容的容值，电感和电容形成并联谐振后，其谐振频率应在压电陶瓷本身谐振频率的正负10KHz范围内。