[实用新型]功率放大电路、推挽功率放大器及射频前端模组

权利要求书

1.一种功率放大电路，其特征在于，包括第一功率放大器和第一寄生抑制电路；

所述第一寄生抑制电路的第一端耦合至信号输入端，所述第一寄生抑制电路的第二端与所述第一功率放大器的输入节点相连，所述第一寄生抑制电路的第三端与供电电源端相连，所述第一寄生抑制电路的第四端与所述第一功率放大器的输出节点和信号输出端相连，所述第一寄生抑制电路被配置为抑制所述第一功率放大器的第一寄生电容。

2.如权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述第一寄生抑制电路的所述第二端的相位与所述第四端的相位相反。

3.如权利要求2所述的功率放大电路，其特征在于，所述第一寄生抑制电路的第二端的相位与所述第一功率放大器的输入节点的相位相反，所述第一寄生抑制电路的第二端的相位与所述第一功率放大器的输出节点的相位相反。

4.如权利要求2所述的功率放大电路，其特征在于，所述第一寄生抑制电路包括第一巴伦，所述第一巴伦包括初级绕组和次级绕组；所述初级绕组的第一端与所述信号输入端相连，所述初级绕组的第二端与所述第一功率放大器的输入节点相连；所述次级绕组的第一端与所述供电电源端相连，所述次级绕组的第二端与所述第一功率放大器的输出节点和所述信号输出端相连。

5.如权利要求4所述的功率放大电路，其特征在于，所述初级绕组和所述次级绕组之间的线圈匝数比与所述第一功率放大器的尺寸大小呈正相关。

6.如权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述第一功率放大器包括至少一个功率放大晶体管，每一所述功率放大晶体管的第一端共接形成所述输入节点，每一所述功率放大晶体管的第二端共接形成所述输出节点，每一所述功率放大晶体管的第三端形成接地节点，所述接地节点与接地端相连。

7.如权利要求6所述的功率放大电路，其特征在于，至少一个所述功率放大晶体管为BJT晶体管，所述BJT晶体管包括基极、集电极和发射极；每一所述功率放大晶体管的基极共接形成所述输入节点，每一所述功率放大晶体管的集电极共接形成所述输出节点，每一所述功率放大晶体管的发射极形成所述接地节点。

8.如权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述功率放大电路还包括输入匹配电路；所述输入匹配电路包括第一电容、第二电容和第一电感；

所述第一电容的第一端与所述信号输入端相连，所述第一电容的第二端与所述第二电容的第一端相连，所述第二电容的第二端与所述第一寄生抑制电路的第一端相连；

所述第一电感的第一端与所述第一电容的第二端和所述第二电容的第一端相连，所述第一电感的第二端接地。

9.一种推挽功率放大器，其特征在于，包括输入转换巴伦、第一功率放大器、第二功率放大器、第一寄生抑制电路和第二寄生抑制电路；

所述输入转换巴伦的输入端与信号输入端相连，所述输入转换巴伦的第一输出端与所述第一寄生抑制电路的第一端相连，所述输入转换巴伦的第二输出端与所述第二寄生抑制电路的第一端相连，所述输入转换巴伦配置为接收射频信号，输出第一射频输入信号和第二射频输入信号；

所述第一寄生抑制电路的第二端与所述第一功率放大器的输入节点相连，所述第一寄生抑制电路的第三端与供电电源端相连，所述第一寄生抑制电路的第四端与所述第一功率放大器的输出节点和信号输出端相连，所述第一寄生抑制电路被配置为抑制所述第一功率放大器的第一寄生电容；

所述第二寄生抑制电路的第二端与所述第二功率放大器的输入节点相连，所述第二寄生抑制电路的第三端与供电电源端相连，所述第二寄生抑制电路的第四端与所述第二功率放大器的输出节点相连，所述第二寄生抑制电路被配置为抑制所述第二功率放大器的第二寄生电容。

10.一种射频前端模组，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的功率放大电路或权利要求9所述的推挽功率放大器。