[实用新型]一种单晶炉热场防尘装置及热场防尘单晶炉有效

专利信息
申请号: 202220445062.3 申请日: 2022-03-02
公开(公告)号: CN217149381U 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 龚小伦;关树军;张鹏;路建华;李飞剑;杨春祥 申请(专利权)人: 乐山市京运通新材料科技有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06;B08B15/02
代理公司: 成都蓉创智汇知识产权代理有限公司 51276 代理人: 赵雷
地址: 614000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 单晶炉热场 防尘 装置 单晶炉
【说明书】:

实用新型属于单晶硅生产设备的技术领域,具体涉及一种单晶炉热场防尘装置及热场防尘单晶炉。一种单晶炉热场防尘装置,用于单晶合炉时减少微尘杂质掉入热场,包括,位于中下保温筒上方的上保温筒,位于上保温筒上方并用于将上保温筒开口封闭的防尘盖板。通过在热场结构中的中下保温筒上设置上保温筒,并在上保温筒上设置防尘盖板,在合炉时利用该防尘盖板将上保温筒上方开口封闭,阻挡合炉时热场外部的微尘杂质进入热场,可以有效的减少掉入热场的微尘杂质,以此可以降低拉晶过程中单晶硅棒断线的频率,此外由于较少的微尘杂质的影响,单晶硅棒中少子寿命也不会受到影响降低,从而保证拉制生产出的单晶品质,提高了单晶硅的生产率及生产质量。

技术领域

本实用新型属于单晶硅生产设备的技术领域,具体涉及一种单晶炉热场防尘装置及热场防尘单晶炉。

背景技术

单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。单晶硅作为制造半导体硅器件的原料,主要用于制造大功率整流器,大功率晶体管,二极管、开关器件等,在开发新能源方面是一种很有前途的材料。单晶硅按晶体生长方法的不同,分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。由于成本和性能的原因,直拉法(CZ)单晶硅材料应用最广,主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池,因此低成本、高品质的单晶硅片是单晶硅制造企业的核心竞争力。

少子寿命是半导体晶体硅材料的一项关键性物理参数,它对硅太阳能电池的性能有重要的影响,少子的寿命高低通常表征了硅块的电学性能,硅片的少子寿命值越高越好,少子的寿命低的硅块切割成硅片后,制作的太阳能电池的转换效率较低,难以满足电能转换标准,将会严重降低电池的光电转换效率。

而现有单晶硅生产过程中在合炉的过程中容易引入微尘杂质,这些杂质会导致少子的寿命降低,影响单晶硅的品质,此外,杂质的引入还容易造成单晶硅在生产时断线,影响拉晶质量,进而影响单晶硅生产率。现急需一种装置保证单晶硅生产时所需的高纯环境,进而保证单晶硅的品质和生产率。

实用新型内容

针对单晶炉晶体拉制时,由于合炉过程中杂质容易掉入炉内,影响单晶硅的品质和生产率的问题,现提出一种单晶炉热场防尘装置,用于单晶合炉时减少微尘杂质掉入热场,其特征在于,包括,位于中下保温筒上方的上保温筒,位于上保温筒上方并用于将上保温筒开口封闭的防尘盖板。

优选的,所述防尘盖板上设有n个盖板把手,n≥1,所述盖板把手用于辅助打开防尘盖板。

具体的,所述盖板把手数量有两个,分别为第一把手,第二把手。

具体的,所述第一把手,第二把手所在轴线相互垂直或平行。

优选的,所述第一把手和第二把手均有第一水平段、第二水平段、半圆环段,所述半圆环段两端分别与第一水平段、第二水平段连接,所述第一水平段和第二水平段均与防尘盖板连接。

优选的,所述盖板把手的第一水平段和第二水平段焊接在防尘盖板上。

优选的,所述防尘盖板为圆形盖板或方形盖板。

优选的,所述防尘盖板的厚度为d,0.5mm≤d≤10mm。

优选的,所述防尘盖板为聚丙烯材料或聚四氟乙烯材料。

一种热场防尘的单晶炉,包括主炉室,包括前述的单晶炉防尘装置,所述单晶炉防尘装置位于主炉室内,还包括坩埚,所述坩埚被所述单晶炉防尘装置中的中下保温筒所包围。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果为:

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