[实用新型]一种低压差线性稳压电路以及振荡信号产生系统有效
申请号: | 202220509769.6 | 申请日: | 2022-03-09 |
公开(公告)号: | CN217506426U | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 刘桂云;梁毅坚;王媛 | 申请(专利权)人: | 辉芒微电子(深圳)股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 张蓉;郭伟刚 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低压 线性 稳压 电路 以及 振荡 信号 产生 系统 | ||
1.一种低压差线性稳压电路,可应用于MCU,其特征在于,包括:
低功耗开关单元(1),其输入连接电源电压VDD,用于在导通后基于所述电源电压VDD输出与所述电源电压VDD相关的低功耗电流(IC);
导通稳压单元(2),其输入连接所述低功耗开关单元(1)的输出,其输出接地,用于接入所述低功耗电流(IC)实现导通,并在导通后产生与所述低功耗电流(IC)无关的稳定低压(VG);
电压转换开关单元(3),与所述导通稳压单元(2)连接,用于将所述稳定低压(VG)转换为所需的目标低压(VLDO)输出;
使能单元(4),用于接收使能信号后驱动所述低功耗开关单元(1)和电压转换开关单元(3)导通。
2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述低功耗开关单元(1)包括:
低功耗旁路(102),连接于所述电源电压VDD和所述导通稳压单元(2)之间,落后于所述电压转换开关单元(3)之后导通,用于在导通后基于所述电源电压VDD输出低功耗电流(IC);
快速导通旁路(101),与所述低功耗旁路(102)并联,且所述快速导通旁路(101)的等效电阻小于所述低功耗旁路(102)的等效电阻,所述快速导通旁路(101)与所述电压转换开关单元(3)同步导通并在所述低功耗旁路(102)导通时关断,所述快速导通旁路(101)在导通时替代所述低功耗旁路(102)实现基于所述电源电压VDD输出低功耗电流(IC)。
3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述快速导通旁路(101)包括第一MOS管(M1)和第一电阻(R1),所述第一MOS管(M1)的输入连接所述电源电压VDD,所述第一MOS管(M1)的输出连接所述第一电阻(R1)第一端,所述第一电阻(R1)的第二端连接所述导通稳压单元(2)的输入,所述第一MOS管(M1)的控制端连接所述使能单元(4)。
4.根据权利要求3所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述低功耗旁路(102)包括第二MOS管(M2)和第二电阻(R2),所述第二MOS管(M2)的输入连接所述电源电压VDD,所述第二MOS管(M2)的输出连接所述第二电阻(R2)第一端,所述第二电阻(R2)的第二端连接所述导通稳压单元(2)的输入,所述第二MOS管(M2)的控制端连接所述使能单元(4),所述第二电阻(R2)的阻值大于所述第一电阻(R1)的阻值。
5.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述电压转换开关单元(3)包括第三MOS管(M3)、第四MOS管(MN)和电容(C),所述第三MOS管(M3)的输入连接所述电源电压VDD,所述第三MOS管(M3)的输出连接所述第四MOS管(MN)的输入,所述第四MOS管(MN)的输出连接所述电容(C)的第一端,所述电容(C)的第二端接地,所述电容(C)的第一端提供所需的目标低压(VLDO),所述第三MOS管(M3)的控制端连接所述使能单元(4),第四MOS管(MN)的控制端连接至所述低功耗开关单元(1)的输出和所述导通稳压单元(2)的输入之间。
6.根据权利要求2所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述使能单元(4)包括与非门和依次串接的K个反相器,第一个反相器的输入用于接入使能信号,第M个反相器的输出控制所述电压转换开关单元(3),第N个反相器的输出控制所述低功耗旁路(102),所述与非门的第一个输入与第一个反相器的输入共接,所述与非门的第二个输入与第N个反相器的输出连接,所述与非门的输出控制所述快速导通旁路(101),K为正整数,M、N均为大于等于1且小于等于K的奇数,且M小于N。
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