[实用新型]一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器

权利要求书

1.一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器，其特征在于：包括陶瓷基体、相对设置在陶瓷基体两端的两电极、设置在两电极之间的电阻体、分别设置在两电极外侧的两镍层和分别设置在两镍层外侧的两锡层，电阻体厚度大于电极厚度，电阻体靠近两电极的两端部均设置有延伸部，两延伸部分别延伸至两电极上端，两电极与电阻体先后成型，电极由高钯含量的银钯浆料制成，电阻体由纯银浆料制成。

2.根据权利要求1所述的一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器，其特征在于：所述电极端部具有弧面，所述延伸部包括一端设置在所述电阻体端部且与弧面匹配的弧形段和设置在弧形段另一端的水平段，水平段位于所述电极上端。

3.根据权利要求1或2所述的一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器，其特征在于：还包括设置在电阻体上的绝缘保护层，绝缘保护层位于两电极外侧的两镍层之间。

4.根据权利要求1或2所述的一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器，其特征在于：所述电极由所述银钯浆料印刷烧制形成，所述电阻体由所述纯银浆料印刷烧制形成。

5.根据权利要求1或2所述的一种抗硫化低阻抗零欧姆片式电阻器，其特征在于：所述镍层和锡层均由电镀形成。