[实用新型]一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片

说明书

本实用新型提供一种光刻对准标记图形结构，包括：多个外对准标记槽，设于晶圆表面；以及多个内对准标记槽，设于所述晶圆表面；其中，所述外对准标记槽包括依次相连的多个连接沟槽，所述外对准标记槽为中心对称结构，且所述外对准标记槽为中间部分向外凸出的形状；所述内对准标记槽包括依次相连的多个连通沟槽，所述外对准标记槽为中心对称结构，且所述内对准标记槽为中间部分向外凸出的形状。通过本实用新型公开的一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片，能够有效减少在外延生长过程中产生的轮廓畸变。

技术领域

本实用新型涉及半导体外延生长技术领域，特别是涉及一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片。

背景技术

光刻对准标记图形结构是用来定义光罩与晶圆之间的位置与方向，在晶圆的制造过程中起到关键的作用。在高压或者大功率器件制备中，一般采用外延层生长技术来达到需求，而在外延生长过程中，温度或者外延生长速率都会影响光刻对准标记结构产生形变，轮廓失真，从而产生畸变轮廓。而光刻对准标记结构出现畸变轮廓时，会严重影响对准精度，从而影响产品的质量

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片，本实用新型能够有效减少在外延生长过程中产生的轮廓畸变，从而提高对准精度。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种光刻对准标记图形结构，包括：

多个外对准标记槽，设于晶圆上；以及

多个内对准标记槽，设于所述晶圆上；

其中，所述外对准标记槽包括依次相连的多个连接沟槽，所述外对准标记槽为中心对称结构，且所述外对准标记槽为中间部分向外凸出的形状；

所述内对准标记槽包括依次相连的多个连通沟槽，所述内对准标记槽为中心对称结构，且所述外对准标记槽为中间部分向外凸出的形状。

在本实用新型一实施例中，所述外对准标记槽包括依次相连的第一外槽、第三外槽、第二外槽以及第四外槽。

在本实用新型一实施例中，所述第三外槽为凸形结构。

在本实用新型一实施例中，所述第四外槽为凸形结构。

在本实用新型一实施例中，所述内对准标记槽包括依次相连的第一内槽、第三内槽、第二内槽以及第四内槽。

在本实用新型一实施例中，所述第三内槽为凸形结构。

在本实用新型一实施例中，所述第四内槽为凸形结构。

在本实用新型一实施例中，多个所述内对准标记槽等距排列。

在本实用新型一实施例中，相邻的所述外对准标记槽、所述内对准标记槽之间的间距与相邻的两个所述内对准标记槽之间的间距大小相等。

本实用新型还提供一种半导体晶片，包括：

晶圆；

光刻对准标记图形结构，设于所述晶圆上；以及

外延层，覆盖于所述晶圆与所述光刻对准标记图形结构上；

其中，所述光刻对准标记图形结构包括

多个外对准标记槽，设于晶圆上；以及

多个内对准标记槽，设于所述晶圆上；

其中，所述外对准标记槽包括依次相连的多个连接沟槽，所述外对准标记槽为中心对称结构，且所述外对准标记槽为中间部分向外凸出的形状；

所述内对准标记槽包括依次相连的多个连通沟槽，所述内对准标记槽为中心对称结构，且所述外对准标记槽为中间部分向外凸出的形状。