[实用新型]一种材料相变过程的成像装置

权利要求书

1.一种材料相变过程的成像装置，其特征在于，包括：

量子级联激光器，用于在低温环境下发出成像光；

耦合输出结构，用于收集所述成像光并进行准直；

扩束装置，用于将准直后的所述成像光扩束成共焦的多束激光；

透镜，用于将所述共焦的多束激光转变为平行光并照射到样品板上的测试样品；

镜头，用于接收穿过所述测试样品的平行光，并成像于热探测阵列的敏感面上。

2.根据权利要求1所述的材料相变过程的成像装置，其特征在于，所述量子级联激光器为脊条型端面出光器件，工作波长为60μm-250μm。

3.根据权利要求1所述的材料相变过程的成像装置，其特征在于，所述耦合输出结构为离轴抛物面反射镜，所述离轴抛物面反射镜的直径焦距比大于或等于1。

4.根据权利要求1所述的材料相变过程的成像装置，其特征在于，所述低温环境通过制冷机实现，所述量子级联激光器和耦合输出结构均位于所述低温环境内，所述低温环境设置有密封窗片，准直后的所述成像光穿过所述密封窗片到达所述扩束装置。

5.根据权利要求1所述的材料相变过程的成像装置，其特征在于，所述扩束装置为90度二维摆动反射镜，所述90度二维摆动反射镜在两个维度上的反射镜沿成像光传播方向的投影尺寸相同。

6.根据权利要求1所述的材料相变过程的成像装置，其特征在于，所述透镜为双凸透镜。

7.根据权利要求1所述的材料相变过程的成像装置，其特征在于，所述样品板的透过率超过80％。

8.根据权利要求1所述的材料相变过程的成像装置，其特征在于，所述镜头中的光学元件的材质为高阻硅，所述热探测阵列的工作波长为60μm-300μm。

9.根据权利要求1所述的材料相变过程的成像装置，其特征在于，所述扩束装置、透镜、样品板、镜头和热探测阵列通过光路支架竖直依次排布，实现桌面式的竖直方向的成像光路。