[实用新型]一种自动匹配器

说明书

本实用新型提供了一种自动匹配器，其至少包括一壳体、安装于该壳体内的电容组件、与该电容组件电性连接的电感组件以及安装于该壳体内的控制装置，所述电感组件的一端连接有接插件，所述电感组件与接插件的连接处设有支撑座，支撑座上设有供接插件插入的盲孔，支撑座上表面开设凹槽，凹槽位于盲孔中部，且凹槽开口方向垂直于盲孔轴线布置，凹槽将盲孔分成三段，所述电感组件伸入该凹槽内与接插件连接。该自动匹配器中支撑座采用盲孔设计，可有效规避因大功率间距造成打火的风险，并且采用断开式同轴盲孔设计，可有效解决现有通孔的设计过长，造成同轴度公差较大的问题，还可使接插件的两端均通过支撑座进行支撑固定，保证了接插件安装的稳定性。

技术领域

本实用新型属于半导体制造技术领域，具体涉及一种自动匹配器。

背景技术

等离子体技术被广泛地应用于半导体器件的制造技术领域中，在等离子体沉积与刻蚀系统中，采用射频电源向反应腔室加载能量以将腔室内的工艺气体激发形成等离子体；等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，这些活性粒子和置于腔体并曝露在等离子体环境下的基片表面发生各种物理和化学反应，使基片表面发生变化，从而完成刻蚀、沉积等工艺。

在应用中，射频电源的输出阻抗一般为50Ω，为了使反应腔室从射频电源处获得最大的功率以及降低反应腔室的反射功率，一般在射频电源与反应腔室之间设置有阻抗匹配装置，用于使射频电源的输出阻抗和负载阻抗相匹配，负载阻抗等于阻抗匹配装置的阻抗与反应腔室的阻抗之和。

然而，现有用于支撑与电感连接的接插件的结构如图1所示，支撑座上设置通孔，接插件的主杆直接贯穿通孔，电感与主杆上贯穿出此通孔的一端连接。现有的这种支撑座结构存在如下缺陷：(1)通孔的设计过长，造成同轴度公差较大；(2)通孔设计会存在因大功率间距造成打火的风险；(3)支撑座仅支撑于主杆的一端，对主杆支撑的稳定性欠佳。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种自动匹配器，至少可以解决现有技术中存在的部分缺陷。

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种自动匹配器，其至少包括一壳体、安装于该壳体内的电容组件、与该电容组件电性连接的电感组件以及安装于该壳体内的控制装置，所述电感组件的一端连接有接插件，所述电感组件与接插件的连接处设有支撑座，所述支撑座上设有供接插件插入的盲孔，所述支撑座上表面开设凹槽，所述凹槽位于盲孔中部，且凹槽开口方向垂直于盲孔轴线布置，凹槽将盲孔分成三段，所述电感组件伸入该凹槽内与所述接插件连接。

进一步的，所述支撑座采用陶瓷材料制成。

进一步的，所述支撑座采用阶梯结构，具有上台阶段和下台阶段，所述凹槽设于上台阶段上，且凹槽开口方向朝向下台阶段一侧。

进一步的，所述盲孔设置于上台阶段和下台阶段的连接处，且盲孔的上、下弧面分别位于上台阶段和下台阶段上。

进一步的，所述接插件具有依次同轴连接的外部连接件、过渡连接件和主杆，所述主杆插入支撑座的盲孔中，所述主杆中部设有用于连接电感组件的安装孔，所述安装孔位于支撑座的凹槽处，所述电感组件端部支撑于支撑座的下台阶段上。

进一步的，所述主杆与盲孔同轴布置。

进一步的，所述主杆上对应凹槽处为平面结构。

进一步的，所述电感组件上与接插件连接的一端设有连接片，所述连接片的大小与支撑座的凹槽大小相匹配，所述连接片上设有与主杆上安装孔相对应的连接孔。

进一步的，所述接插件的外部连接件、过渡连接件和主杆一体成型。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果：