[实用新型]亚大气压化学气相沉积设备的气压控制系统

说明书

本实用新型公开了一种亚大气压化学气相沉积设备的气压控制系统，包括反应腔；承载台，设置在所述反应腔中，所述承载台承载晶圆；第一干式真空泵，通过第一管路与所述反应腔相连通，所述第一干式真空泵抽取所述反应腔中的气体；以及第二干式真空泵，通过第二管路与所述承载台相连通，所述第二干式真空泵抽取所述承载台上的所述晶圆背面的气体，以将所述晶圆吸附于所述承载台上。根据本实用新型实施例的亚大气压化学气相沉积设备的气压控制系统，提高了干式真空泵的使用寿命、降低了维修成本、延长了设备运行时间。

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种亚大气压化学气相沉积设备的气压控制系统。

背景技术

在集成电路制造技术中，薄膜沉积是一种重要的制造手段。亚大气压化学气相沉积工艺(sub-atmospheric Chemical Vapor Deposition，SA-CVD)真空镀膜设备用于亚大气压化学气相沉积工艺。该工艺通过控制温度、压力、化学条件使电离工艺气体在晶圆表面反应生成所需的化合物。其中，控制压力的气压控制系统(真空系统)是该设备的重要组成部分。

在现有的气压控制系统中，反应腔与晶圆背面的气压由一台干式真空泵控制。晶圆放置在反应腔内部后，气压控制系统保证反应腔维持一定的压力，同时通过打开背压管路使晶圆吸附在承载台表面并保持低于反应腔压力大小的背压。随着跑货量增加，粉尘等副产物会影响干式真空泵的使用寿命，晶圆背面压力(背压，backside pressure)会逐步升高，无法满足需要的气压，需要对干式真空泵进行维修或更换。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型的目的在于提供一种亚大气压化学气相沉积设备的气压控制系统，提高干式真空泵的使用寿命、降低维修成本、延长设备运行时间。

根据本实用新型的一方面，提供一种亚大气压化学气相沉积设备的气压控制系统，包括反应腔；承载台，设置在所述反应腔中，所述承载台承载晶圆；第一干式真空泵，通过第一管路与所述反应腔相连通，所述第一干式真空泵抽取所述反应腔中的气体；以及第二干式真空泵，通过第二管路与所述承载台相连通，所述第二干式真空泵抽取所述承载台上的所述晶圆背面的气体，以将所述晶圆吸附于所述承载台上。

优选地，所述气压控制系统还包括第一气动阀，设置在所述第二管路上，用于控制所述第二管路的通断。

优选地，所述气压控制系统还包括节流阀，设置在所述第一管路上，用于控制所述反应腔中气压的大小。

优选地，所述气压控制系统还包括第一气压检测表，与所述反应腔相连接，用于检测所述反应腔中的气压值。

优选地，所述气压控制系统还包括第二气压检测表，与所述第一管路相连接，用于检测所述第一管路、所述第二管路中的气压。

优选地，所述承载台中设置有若干吸附孔，以将所述晶圆吸附固定在所述承载台的表面上。

优选地，所述气压控制系统还包括第一隔离阀，设置在所述第一管路上，用于控制所述第一管路的通断。

优选地，所述气压控制系统包括两个所述承载台；所述第二管路包括主管路，所述主管路的第一端与所述第二干式真空泵相连接；两个子管路，所述子管路的数量与所述承载台的数量相同，所述子管路的第一端与所述主管路的第二端相连接，不同的所述子管路的第二端与对应的所述承载台相连通。

优选地，所述气压控制系统还包括第一子管路气动阀，设置在所述第一子管路上，所述第一子管路气动阀控制所述第一子管路的通断；第二子管路气动阀，设置在所述第二子管路上，所述第二子管路气动阀控制所述第二子管路的通断；。

优选地，所述气压控制系统还包括第三管路，所述第三管路的第一端与所述第一管路相连通，所述第三管路的第二端与所述第二管路相连通；第二气动阀，设置在所述第三管路上，用于控制所述第三管路的通断。