[实用新型]一种薄膜晶体管及阵列基板

说明书

本申请提供一种薄膜晶体管及阵列基板，其包括：基板；栅电极，形成于所述基板上；栅极绝缘层，覆设于所述栅电极上；有源层，形成于所述栅极绝缘层上；源漏金属层，形成于所述有源层上，所述源漏金属层包括源电极和漏电极；所述源电极和漏电极之间相互间隔并且分别具有部分搭接在所述有源层上，所述有源层对应于所述源电极和漏电极相互间隔的区域形成沟道区；防护层，形成于所述沟道区的表面；以及钝化层，覆设于所述源漏金属层及所述防护层的表面。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及阵列基板。

背景技术

TFT(Thin Film Transistor)为主动开关阵列基板，在液晶显示屏里用来控制显示面板的显像，是不可或缺的主要组件。

主动开关阵列基板配置有源极电极与漏极电极，当左侧的源极电极上的电流要流通到在右侧的漏极电极时，中间必须穿越在半导体有源层上方所形成的有源层通道。当位于半导体有源层下方的栅极电极施加驱动电压时，在半导体有源层会产生一诱导电场来控制有源层通道的开通与否，此即为主动开关阵列基板的工作原理。上述的主动开关阵列基板是制作在玻璃基板上，此种工艺需要有物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)等半导体制程设备的投入。当使用等离子体辅助化学气相沉积机台来沉积主动开关阵列基板的钝化层时，倘若机台的制程条件未做好最合适的调整，在主动开关阵列基板上方最重要的有源层通道将会因为等离子体辅助化学气相沉积机台沉积时的离子轰击而造成损伤。

因此，现有技术存在缺陷，急需解决。

实用新型内容

本申请提供一种薄膜晶体管阵列基板，能够解决钝化层膜层沉积时对有源层的损伤的问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

一种薄膜晶体管，包括：

基板；

栅电极，形成于所述基板上；

栅极绝缘层，覆设于所述栅电极上；

有源层，形成于所述栅极绝缘层上；

源漏金属层，形成于所述有源层上，所述源漏金属层包括源电极和漏电极；所述源电极和漏电极之间相互间隔并且分别具有部分搭接在所述有源层上，所述有源层对应于所述源电极和漏电极相互间隔的区域形成沟道区；

防护层，形成于所述沟道区的表面；以及

钝化层，覆设于所述源漏金属层及所述防护层的表面。

在本实用新型的其中一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括欧姆接触层，所述欧姆接触层设置于所述源电极与所述有源层之间以及所述漏电极与所述有源层之间。

在本实用新型的其中一些实施例中，所述源电极和漏电极之间具有开口，所述开口穿透所述欧姆接触层及部分所述有源层并暴露所述沟道区。

在本实用新型的其中一些实施例中，所述欧姆接触层的下表面与所述防护层的上表面不共面。

在本实用新型的其中一些实施例中，所述防护层的材质为磷掺杂硅、硼掺杂硅、砷掺杂硅、氮掺杂硅或铝掺杂硅。

在本实用新型的其中一些实施例中，所述钝化层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝。

在本实用新型的其中一些实施例中，所述防护层的厚度大于所述欧姆接触层的厚度。

在本实用新型的其中一些实施例中，所述欧姆接触层具有厚度D，且厚度D等于或大于0.03微米，且等于或小于0.05微米。

在本实用新型的其中一些实施例中，所述防护层具有厚度H，且厚度H等于或大于0.05微米，且等于或小于0.08微米。