[实用新型]一种NMOS管高端驱动电路及汽车有效

专利信息
申请号: 202220610908.4 申请日: 2022-03-18
公开(公告)号: CN217183274U 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 白立;兰启洪;刘超;伍艳丽;王科发;袁宇 申请(专利权)人: 成都肯保捷电子有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 代理人: 黄妍
地址: 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易试*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 nmos 高端 驱动 电路 汽车
【说明书】:

一种NMOS管高端驱动电路及汽车,所述驱动电路包括:升压模块、滤波模块和电压输出模块;升压模块对输入的第一电压和第二电压进行整合升压得到第三电压,再通过滤波模块对第三电压进行滤波得到第四电压,电压输出模块接收第四电压并将通过稳压后向NMOS管的栅极源极输出第五电压,第一电压也为负载的电源电压,即NMOS管的漏极的电压,由于第五电压大于第一电压,即NMOS管的栅极电压大于第一电压,NMOS管导通时源极电压为第一电压,所以NMOS的栅极电压大于源极电压,从而实现对接在NMOS管高边的负载的驱动,从而实现对接在NMOS管高边的负载的驱动,解决了现有技术中低边驱动导致负载容易误启动该负载的问题。

技术领域

实用新型涉及电子技术领域,尤其涉及一种NMOS管高端驱动电路及汽车。

背景技术

低边驱动指负载的正极接电源,负载的负极接NMOS管的漏极;高边驱动指负载的正极接NMOS管的源极,负载的负极接地。现有技术中,大多数采用NMOS管的低边驱动的方式驱动负载,图1为NMOS管的低边驱动电路图,如图1所示,当采用低边驱动的方式时,负载的第一端与电源相连,负载的第二端需要接在NMOS管N1的漏极,在实际运用中,由于当负载使用频率较低,会将其与电源断开,负载的第二端并不会与NMOS管的漏极相连,在需要使用该负载时才将负载的第二端与NMOS管的漏极相连。

然而这样在负载的第二端容易误接地,从而启动负载,导致在无需使用负载的时候启动该负载。

实用新型内容

针对现有技术中所存在的不足,本实用新型提供了一种NOMS管高边驱动电路及汽车,其解决了现有技术中存在的在无需使用负载的时候容易误启动该负载问题。

本实用新型提供一种NMOS管高端驱动电路,所述驱动电路包括:升压模块、滤波模块和电压输出模块;所述升压模块分别与第一触发端、第一电源端和第二电源端相连,用于根据所述第一触发端输出的第一触发信号进行启动,还用于将所述第一电源端输出的第一电压和第二电源端输出的第二电压进行整合升压得到第三电压;所述滤波模块与所述升压模块的输出端相连,用于将所述升压模块输出的第三电压滤波得到第四电压;所述电压输出模块的输入端与所述滤波模块的输出端相连,所述电压输出模块的第一输出端与所述NMOS管的栅极相连,所述电压输出模块的第二输出端与所述NMOS管的源极相连,用于接收所述滤波模块输出的所述第四电压,并通过电压输出模块的第一输出端向所述NMOS管的栅极输出第四电压;还用于将所述第四电压降压得到第五电压,并通过所述电压输出模块的第二端向所述NMOS管的源极输出第五电压。

可选地,所述升压模块包括:第一电阻、第二电阻、第一三极管、第三电阻、第二三极管、第三三极管、第一电容、第二电容和第一二极管;所述第一电阻的两端分别与所述第一触发端和所述第一三极管的基极相连;所述第二电阻的两端分别与所述第一三级管的基极和发射极相连;所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的基极相连;所述第二三极管的集电极与所述第二电源端相连,所述第二三极管的发射极与所述第一电容的第一端相连;所述第三电阻的两端分别与所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的集电极相连;所述第三三极管的基极与所述第一三极管的集电极相连,所述第三三极管的集电极接地,所述第三三极管的发射极与所述第二三极管的发射极相连;所述第一二极管的正极与所述第一电源端相连,所述第一二极管的负极分别与所述第一电容的第二端和所述滤波模块的输入端相连;所述第二电容与所述第一电容并联。

可选地,所述滤波模块包括:第二二极管、第三电容和第四电容;所述第二二极管的正极与所述升压模块的输出端相连,所述第二二极管的负极与所述第三电容的第一端相连;所述第三电容的第二端接地;所述第四电容与所述第三电容并联。

可选地,所述电压输出模块包括:第四三极管、第四电阻和第三稳压二极管;所述第四三极管的基极与所述第三稳压二极管的负极相连,所述第四三极管的发射极与所述NMOS 管的栅极相连;所述第四电阻的两端分别与所述第四三极管的集电极和基极相连;所述第三稳压二极管的正极与所述NMOS管的源极相连。

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