[实用新型]一种沟槽终端

说明书

本实用新型实施例公开了一种沟槽终端，包括N+衬底层，N+衬底层上设有N型漂移层，N型漂移层上设有Pbody基区，Pbody基区上方对应设有场氧化层和电极，Pbody基区设有下端延伸至N型漂移层内的沟槽，沟槽内填充多晶硅，沟槽底部设有P环。本实用新型降低了终端沟槽底部最高电场强度，使终端尺寸缩小，反向阻断能力提高，提高终端电压稳定性。

技术领域

本实用新型涉及MOS技术领域，尤其涉及一种沟槽终端。

背景技术

现有的沟槽 MOS器件终端一般采用FLR、JTE以及VLD，终端尺寸大；此外，现有沟槽终端反向阻断能力差，容易发生提前击穿。

实用新型内容

本实用新型实施例所要解决的技术问题在于，提供一种沟槽终端，以提高反向阻断能力。

为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提出了一种沟槽终端，包括N+衬底层，N+衬底层上设有N型漂移层，N型漂移层上设有Pbody基区，Pbody基区上方对应设有场氧化层和电极，Pbody基区设有下端延伸至N型漂移层内的沟槽，沟槽内填充多晶硅，沟槽底部设有P环。

进一步地，沟槽底部增加Boron注入形成P环。

进一步地，所述沟槽终端的沟槽宽度大于有源区的沟槽宽度。

进一步地，Pbody基区对应设有Nplus。

本实用新型的有益效果：本实用新型降低了终端沟槽底部最高电场强度，使终端尺寸缩小，反向阻断能力提高，提高终端电压稳定性。

附图说明

图1是本实用新型实施例的沟槽终端的结构示意图。

图2是本实用新型实施例的沟槽终端的制备方法的步骤1的示意图。

图3是本实用新型实施例的沟槽终端的制备方法的步骤2的示意图。

图4是本实用新型实施例的沟槽终端的制备方法的步骤3的示意图。

附图标号说明

N+衬底层201，N型漂移层202，有源区的沟槽203，多晶硅204，Pbody基区205，Nplus206，场氧化层207，电极208，P环209，沟槽终端的沟槽210。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合，下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。

本实用新型实施例中若有方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……）仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本实用新型中若涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。

请参照图1，本实用新型实施例的沟槽终端包括N+衬底层。N+衬底层上设有N型漂移层，N型漂移层上设有Pbody基区，Pbody基区上方对应设有场氧化层和电极，Pbody基区设有下端延伸至N型漂移层内的沟槽，沟槽内填充多晶硅，沟槽底部设有P环。本实用新型减小终端的沟槽底部电场，使终端击穿电压始终高于有源区电压，击穿发生在有源区。