[实用新型]一种单晶叶片蜡模结构

说明书

一种单晶叶片蜡模结构，包括叶片蜡模和引晶条，所述叶片蜡模包括叶片榫头、缘板和叶身，引晶条设置在缘板与叶身的叶尖部位之间，且引晶条与叶片蜡模在模具中一体成型，所述引晶条分为起始段、中间段和末段，起始段与叶身连接且与叶身的夹角θ1为15°‑50°，中间段距离叶身的距离t2为5mm‑20mm且形态与叶身随型，末段与缘板连接且与缘板的夹角θ3为80°‑100°；本实用新型保障了叶身与引晶条晶粒生长的一致性，有效减小了小角度晶界的角度，保障了单晶的顺序生长，避免杂晶形成，达到了控制叶片杂晶、再结晶及小角度晶界等缺陷的目的，引晶条与叶片蜡模一体成型保障单晶工艺的可靠性和稳定性，大幅度减少手工操作环节带来的弊端。

技术领域

本实用新型涉及精铸铸造技术领域，特别涉及一种单晶叶片蜡模结构。

背景技术

单晶叶片制造被誉为现代工业技术领域“皇冠上的明珠”，其制造水平是衡量一个国家综合实力的重要标志之一。欧美发达国家单晶叶片制造技术很成熟，且对中国实行长期的、严密的技术封锁。中国在单晶叶片制造技术已取得很多突破，但整体制造水平偏低。晶体缺陷控制是单晶叶片制造的核心技术，单晶叶片的晶粒合格率一直是制约产品量产最终合格率的高低。晶粒不合格表现为晶体缺陷的产生，单晶叶片主要的晶体缺陷为杂晶、再结晶及小角度晶界，这几种晶体缺陷的形成机制与控制方法相互影响，杂晶往往在叶片结构突变的缘板部位形成，其重要的控制技术手段是使用引晶条，而引晶条的形态及其与缘板连接方式不当，将导致再结晶及小角度晶界的形成，现有技术通常采用手工方式粘结引进条，手工粘结的差异会诱发杂晶、再结晶及小角度晶界等缺陷的产生，使得单晶叶片产品合格率受到严重影响，制约着单晶叶片实现批量生产及质量稳定性。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种单晶叶片蜡模结构，通过引晶条起始段角度保障了引晶成功率，引晶条中间段的厚度尺寸及与叶身随型形态，保障了叶身与引晶条晶粒生长的一致性，有效减小了小角度晶界的角度，引晶条末段及与缘板的连接方式，保障了单晶的顺序生长，避免杂晶形成，同时避免铸造应力集中及其诱发的再结晶，达到了控制叶片杂晶、再结晶及小角度晶界等缺陷的目的，引晶条与叶片蜡模一体成型保障单晶工艺的可靠性和稳定性，大幅度减少手工操作环节带来的弊端，可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：一种单晶叶片蜡模结构，包括叶片蜡模和引晶条，所述叶片蜡模包括叶片榫头、缘板和叶身，引晶条设置在缘板与叶身的叶尖部位之间，且引晶条与叶片蜡模在模具中一体成型，所述引晶条分为起始段、中间段和末段，起始段与叶身连接且与叶身的夹角θ1为15°-50°，中间段距离叶身的距离t2为5mm-20mm且形态与叶身随型，末段与缘板连接且与缘板的夹角θ3为80°-100°。

引晶条的厚度t1为叶身壁厚的1-4倍。

末段的延伸方向与竖直方向的夹角θ2为0°-60°。

引晶条的末段与缘板保持夹角θ3的长度t3不小于5mm。

末段的平面形状为三角结构且三角结构与缘板两端的留空距离t6、t7为0-20mm。

三角结构与中间段连接处的顶角θ4为0°-120°。

三角结构的厚度t4为缘板边缘厚度t5的0.5-3倍，三角结构顶角处的厚度与引晶条相同且整体厚度圆滑过渡。

与传统技术相比，本实用新型产生的有益效果是：本实用新型中引晶条起始段角度保障了引晶成功率，引晶条中间段的厚度尺寸及与叶身随型形态，保障了叶身与引晶条晶粒生长的一致性，有效减小了小角度晶界的角度，引晶条末段及与缘板的连接方式，保障了单晶的顺序生长，避免杂晶形成，同时避免铸造应力集中及其诱发的再结晶，达到了控制叶片杂晶、再结晶及小角度晶界等缺陷的目的，引晶条与叶片蜡模一体成型保障单晶工艺的可靠性和稳定性，大幅度减少手工操作环节带来的弊端。

附图说明

图1为本实用新型的叶片蜡模结构示意图；