[实用新型]一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑光电探测器

权利要求书

1.一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑光电探测器，其特征在于：自下而上依次设置本征高阻硅衬底、二氧化硅层和碲化锑层，在碲化锑层两端是源、漏金属电极，源、漏电极与相应的引线电极相连用于连接外部测试电路。

2.如权利要求1所述的一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑光电探测器，其特征在于：所述的衬底是本征高阻硅，其电阻率为10000Ω·cm，厚度为500μm；覆盖其上的是二氧化硅层，厚度为300nm。

3.如权利要求1所述的一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑光电探测器，其特征在于：所述的碲化锑为薄层材料，厚度为80～90nm。

4.如权利要求1所述的一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑光电探测器，其特征在于：所述的源、漏电极为金属复合电极，包括铬电极和金电极，整体大小为220μm×140μm，下层金属为铬，作为粘附层，厚度是5nm，上层金属为金，厚度是50nm；相应的引线电极，厚度为200～400nm。