[实用新型]一种单晶炉炉底电极用保护结构

说明书

一种单晶炉炉底电极用保护结构，包括配设于电极柱与安装孔之间的衬层一和衬层二，其中，所述衬层一和所述衬层二沿所述电极柱的高度阶梯设置；所述衬层一靠近所述电极柱一侧设置，所述衬层二靠近所述安装孔内壁一侧设置；且所述电极柱与所述衬层一、所述衬层一和所述衬层二、以及所述衬层二与所述安装孔之间两两相互紧贴设置。本实用新型通过阶梯设置的衬层一和衬层二，严密包裹在电极柱的外壁并完全充满在电极柱与安装孔之间的空间中，使电极柱周围被双层结构的衬层一和衬层二包围设置，可减少单晶炉主室内的热气从电极柱与安装孔之间的间隙中流出，减少单晶炉内热量的散失，从而可降低热场功耗。

技术领域

本实用新型属于直拉单晶制备保温技术领域，尤其是涉及一种单晶炉炉底电极用保护结构。

背景技术

直拉法生长单晶硅是目前生产单晶硅最广泛的应用技术，随着市场竞争加剧，单晶硅生产需要降低单晶硅单公斤的生产成本，来提升产品价格优势。单晶硅生产中，燃动成本占比较大，降低单晶炉功耗是降低单公斤生产成本的主要途径之一。尤其是在拉晶制程过程中，炉底电极柱的功耗变化较大，直接影响单晶炉主室内热场功率的稳定性。

实用新型内容

本实用新型提供一种单晶炉炉底电极用保护结构，解决了现有技术中单晶炉炉底电极柱热量散失严重而导致热场功耗较大的技术问题。

为解决至少一个上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种单晶炉炉底电极用保护结构，包括配设于电极柱与安装孔之间的衬层一和衬层二，其中，所述衬层一和所述衬层二沿所述电极柱的高度阶梯设置；

所述衬层一靠近所述电极柱一侧设置，所述衬层二靠近所述安装孔内壁一侧设置；

且所述电极柱与所述衬层一、所述衬层一和所述衬层二、以及所述衬层二与所述安装孔之间两两相互紧贴设置。

进一步的，所述衬层一为筒状结构的塑性件，套设于所述电极柱外侧设置。

进一步的，所述衬层二为环状弹性件，被内置于所述衬层一和所述安装孔之间的空间。

进一步的，所述衬层一和所述衬层二的下端面均抵顶于电极片设置。

进一步的，所述衬层一的高度大于所述衬层二的高度。

进一步的，所述衬层一与所述衬层二的高度差不小于20mm。

进一步的，所述衬层一的上端面低于所述安装孔的上端面。

进一步的，所述衬层一的上端面低于所述电极柱的外壁面高度。

进一步的，所述衬层一的厚度小于所述衬层二的厚度。

进一步的，所述衬层二的厚度是所述衬层一厚度的2-4倍。

采用本实用新型设计的一种单晶炉炉底电极用保护结构，通过阶梯设置的衬层一和衬层二，严密包裹在电极柱的外壁并完全充满在电极柱与安装孔之间的空间中，使电极柱周围被双层结构的衬层一和衬层二包围设置，可减少单晶炉主室内的热气从电极柱与安装孔之间的间隙中流出，减少单晶炉内热量的散失，从而可降低热场功耗，也间接延长了置于炉底的保温材料的使用寿命。

附图说明

图1是本实用新型一实施例的一种单晶炉炉底电极用保护结构的结构示意图。

图中：

10、电极柱 20、安装孔 30、保护结构

31、衬层一 32、衬层二 40、电极片

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。