[实用新型]放大器、射频芯片及电子装置

说明书

本申请实施例公开了一种放大器、射频芯片及电子装置。所述放大器包括：场效应管，所述场效应管包括漏极、栅极和源极，所述场效应管用于信号放大；漏极匹配电路，所述漏极匹配电路的第一端与所述场效应管的漏极相连，所述漏极匹配电路的第二端与射频信号输出端相连；栅极匹配电路，所述栅极匹配电路的第一端与所述场效应管的栅极相连，所述栅极匹配电路的第二端与射频信号输入端相连；源极反馈电路，与所述场效应管的源极相连；其中，所述漏极匹配电路包括第一低耦合电感对，所述第一低耦合电感对为感应磁场相反的电感对。本申请实施例的放大器和射频芯片的功耗小，尺寸小，成本低。

技术领域

本申请涉及电子技术领域，具体而言，涉及一种放大器、射频芯片及电子装置。

背景技术

随着通讯技术的发展，特别是5G技术的出现，高频无线通讯技术成为了无线通信的重要发展方向。

高频无线通讯的收发系统中包括大量的放大器，放大器的性能会对射频收发系统的性能产生重要的影响。因此，高频无线通讯技术对放大器的性能提出了更高的要求，例如集成度、噪声性能、功耗等。

现有射频或高频放大器芯片大都是基于晶体管、集中参数元件电感、集中参数元件电容、电阻、微带线等元件构成。在所述元件中，电感、微带线、电容等会由于信号激励会产生电磁辐射和其他感应磁场或电场等，这些物理场会影响其他元件的布置和正常工作。在放大器的设计或制造中，为了解决元件间的电磁兼容问题，现有方法是通过保持各元件的较大的布置间距来实现电磁兼容，这会导致放大器的尺寸较大，不便于高密度集成。另外，电磁辐射、感应磁场或电场会造成能量损耗，牺牲了放大器的性能。为了实现高频无线通讯技术普及化，降低元器件的成本和提高元器件的性能是迫切需要解决的问题。

实用新型内容

为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本申请提供了一种放大器、射频芯片及电子装置。

第一方面，本申请提供一种放大器，所述放大器包括：

场效应管，所述场效应管包括漏极、栅极和源极，所述场效应管用于信号放大；

漏极匹配电路，所述漏极匹配电路的第一端与所述场效应管的漏极相连，所述漏极匹配电路的第二端与射频信号输出端相连；

栅极匹配电路，所述栅极匹配电路的第一端与所述场效应管的栅极相连，所述栅极匹配电路的第二端与射频信号输入端相连；

源极反馈电路，与所述场效应管的源极相连；

其中，所述漏极匹配电路包括第一低耦合电感对，所述第一低耦合电感对为感应磁场相反的电感对。

本申请实施例中，所述第一低耦合电感对包括：

第一电感，所述第一电感的第一端与所述场效应管的漏极相连；

第二电感，所述第二电感的第一端与漏极偏置电源端相连，所述第二电感的第二端与所述第一电感的第二端相连；

其中，所述第一电感和所述第二电感的感应磁场方向相反。

本申请实施例中，所述漏极匹配电路还包括：

第一电容，所述第一电容的第一端与所述第一电感的第二端相连，所述第一电容的第二端与所述射频信号输出端相连；

第二电容，所述第二电容的第一端与所述第二电感的第一端相连，所述第二电容的第二端接地。

本申请实施例中，所述栅极匹配电路包括：

第三感性单元，所述第三感性单元的第二端与所述场效应管的栅极相连；

第四感性单元，所述第四感性单元的第一端与所述第三感性单元的第一端相连；