[实用新型]一种半导体发光元件有效
申请号: | 202220782671.8 | 申请日: | 2022-04-07 |
公开(公告)号: | CN217740552U | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 汪玉;汪琴;桂亮亮;王珊;李君杰;蔡家豪;林兓兓 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/38 |
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地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 发光 元件 | ||
1.一种半导体发光元件,包括衬底,依次层叠于所述衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层,以及分别与第一半导体层和第二半导体层电性连接的第一电极和第二电极,所述第二电极包括焊盘部和延伸部,其特征在于,所述第二电极和第二半导体层之间还设置有电流阻挡层和电流扩展层,所述电流扩展层覆盖电流阻挡层和第二半导体层的表面,且电流扩展层具有暴露第二半导体层的第一通孔,所述第一通孔位于电流阻挡层的边缘。
2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于,所述第一通孔暴露第二半导体层和电流阻挡层。
3.根据权利要求2所述的一种半导体发光元件,其特征在于,所述第一通孔暴露第二半导体层的面积不小于暴露电流阻挡层的面积。
4.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于,所述第一通孔暴露第二半导体层,而不暴露电流阻挡层。
5.根据权利要求1或4所述的一种半导体发光元件,其特征在于,所述第一通孔与电流阻挡层的侧面相切。
6.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于,所述第一通孔间隔设置,且相邻的第一通孔间距为8~25μm。
7.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于,相邻所述第一通孔的间距由焊盘部向延伸部的方向上逐渐减小或者逐渐增加或者相同。
8.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于,所述第一通孔对称或非对称的设置于电流阻挡层的两侧。
9.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于,所述电流扩展层还具有第二通孔,所述第二通孔设置于远离第二电极,且靠近第一电极的位置。
10.根据权利要求1或9所述的一种半导体发光元件,其特征在于,所述第一通孔或第二通孔呈圆形、椭圆形、梯形或多边形。
11.根据权利要求2所述的一种半导体发光元件,其特征在于,所述第一通孔呈等腰梯形,且其较长的底边位于第二半导体层所在区域,其较短的底边位于电流阻挡层所在区域。
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