[实用新型]一种图形化衬底及发光二极管

权利要求书

1.一种图形化衬底，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底的表面的若干个间隔分布的图形结构，所述图形结构包括：

第一部分，自所述衬底的表面延伸形成高于所述衬底的表面的凸台，且所述第一部分远离所述衬底的表面包括中心区以及围绕所述中心区的边缘区；

第二部分，位于所述第一部分的中心区，沿远离所述衬底的表面的方向延伸；

第三部分，位于所述第一部分的边缘区，自所述边缘区沿远离所述第一部分的方向围绕所述第二部分延伸，所述第三部分的顶端齐平于或者低于所述第二部分的顶端。

2.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述中心区占所述第一部分的表面的10％～50％。

3.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一部分与所述衬底的形成材料相同。

4.根据权利要求1或3所述的图形化衬底，其特征在于，所述第二部分与所述第一部分的形成材料相同，且所述第二部分与所述第一部分为一体结构。

5.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述第二部分与所述第一部分的形成材料不同。

6.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述第二部分与所述第三部分的形成材料不同。

7.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一部分的边缘区形成为粗化结构。

8.根据权利要求7所述的图形化衬底，其特征在于，所述粗化结构形成为波浪状或者圆弧状。

9.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述图形结构形成为直径自所述图形结构的底部向顶部逐渐递减的锥台结构或者锥形结构。

10.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述衬底包括蓝宝石衬底、SiC衬底、Si衬底、ZnO衬底、SiN衬底中的一种。

11.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述第三部分形成为包括SiO₂、Si₃N₄、ZnO₂、Si、SiC、GaAs、Ti₃O₅、TiO₂中的一种或多种的材料层。

12.一种发光二极管，其特征在于，包括：

如权利要求1～11任一项所述的图形化衬底；

外延层，形成于所述图形化衬底的具有图形结构的一侧，且包括自所述图形化衬底的表面依次堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层。

13.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述第二部分的晶格常数与所述外延层的晶格常数之差小于所述第三部分的晶格常数与所述外延层晶格常数之差。