[实用新型]一种铝饱和用预沉积筒形硅舟有效
申请号: | 202220832791.4 | 申请日: | 2022-04-12 |
公开(公告)号: | CN217134333U | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 黄智;张灿阳;季文鹏;刘晓;李娴;汤尧 | 申请(专利权)人: | 湖北台基半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/22 |
代理公司: | 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 | 代理人: | 严崇姚 |
地址: | 441021 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 饱和 沉积 筒形硅舟 | ||
1.一种铝饱和用预沉积筒形硅舟,包括第一全封闭筒形硅舟(1)、第二全封闭筒形硅舟(2)、硅舟(3)和全封闭筒形硅舟封板(4),所述第一全封闭筒形硅舟(1)和硅舟(3)分别位于第二全封闭筒形硅舟(2)内的上部和下部,所述第二全封闭筒形硅舟(2)的两端口用全封闭筒形硅舟封板(4)封闭,其特征在于:所述第一全封闭筒形硅舟(1)和第二全封闭筒形硅舟(2)的内表面为非光滑表面。
2.根据权利要求1所述的一种铝饱和用预沉积筒形硅舟,其特征在于:所述的第一全封闭筒形硅舟(1)和第二全封闭筒形硅舟(2)为全封闭结构。
3.根据权利要求2所述的一种铝饱和用预沉积筒形硅舟,其特征在于:所述的第一全封闭筒形硅舟(1)的内表面为锯齿状结构的内表面。
4.根据权利要求2所述的一种铝饱和用预沉积筒形硅舟,其特征在于:所述的第二全封闭筒形硅舟(2)的内表面为锯齿状结构的内表面。
5.根据权利要求2所述的一种铝饱和用预沉积筒形硅舟,其特征在于:所述的第一全封闭筒形硅舟(1)和第二全封闭筒形硅舟(2)的内表面均为锯齿状结构的内表面。
6.根据权利要求2所述的一种铝饱和用预沉积筒形硅舟,其特征在于:所述的第一全封闭筒形硅舟(1)的内表面为凸和/或凹结构的内表面。
7.根据权利要求2所述的一种铝饱和用预沉积筒形硅舟,其特征在于:所述的第二全封闭筒形硅舟(2)的内表面为凸和/或凹结构的内表面。
8.根据权利要求2所述的一种铝饱和用预沉积筒形硅舟,其特征在于:所述的第一全封闭筒形硅舟(1)和第二全封闭筒形硅舟(2)的内表面均为凸和/或凹结构的内表面。
9.根据权利要求6、7或8所述的一种铝饱和用预沉积筒形硅舟,其特征在于:所述的凸结构为半球体形、圆锥体形、圆锥台形或梯形台形。
10.根据权利要求9所述的一种铝饱和用预沉积筒形硅舟,其特征在于:所述的凹结构为半球体形、圆锥体形、圆锥台形或梯形台形凹槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造