[实用新型]高亮度发光二极管芯片

权利要求书

1.一种高亮度发光二极管芯片，包括衬底基板、外延层、第一阻挡层、导电透明层、第二阻挡层、N型导电电极以及P型导电电极，其特征在于，

所述外延层由下至上依次包括保护层、扩展层、过渡层、第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层，其中，所述过渡层、第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层的相同一侧形成一粗糙斜面；

依次在第二半导体层上生长所述第一阻挡层、导电透明层以及第二阻挡层，在外延层上刻蚀一N型导电电极凹槽至第一半导体层的表面，在该凹槽上的第一半导体层上以及凹槽侧壁上均生长所述第二阻挡层，所述P型导电电极由上至下依次贯穿所述第二阻挡层以及导电透明层至第二半导体层的表面并与所述第二半导体层电连接，所述N型导电电极贯穿所述第一阻挡层至第一半导体层的表面并与所述第一半导体层电性连接。

2.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管芯片，其特征在于，所述第一阻挡层和第二阻挡层均为二氧化硅材料，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层均设于所述衬底基板上，所述第一阻挡层对应刻蚀在所述P型导电电极和所述N型导电电极之间的位置，所述第二阻挡层对应刻蚀在除所述P型导电电极和所述N型导电电极以外的位置。

3.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管芯片，其特征在于，所述过渡层为ALGaN层和BGaN层重复交叠组成的周期性复合结构，周期数为3～10。

4.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管芯片，其特征在于，所述保护层为SiO2材料，所述保护层的厚度为100-400nm。

5.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管芯片，其特征在于，所述扩展层为GaN半导体层，所述GaN半导体层的厚度为1000-5000nm。

6.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管芯片，其特征在于，所述第一半导体层的厚度为1000-2500nm。

7.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管芯片，其特征在于，所述有源发光层为多量子阱层，所述多量子阱层包括InGaN量子阱层和GaN量子垒层，所述多量子阱层的周期为3～20。

8.根据权利要求7所述的高亮度发光二极管芯片，其特征在于，所述InGaN量子阱层的厚度为3-7nm，所述GaN量子垒层的厚度为5-11nm。

9.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管芯片，其特征在于，所述导电透明层由ITO材料制成，所述衬底基板由Al2O3、Si或SiC中的任一种材料制成。