[实用新型]一种适用于矩形intel芯片的返修治具

说明书

本实用新型公开了一种适用于矩形intel芯片的返修治具，包括治具本体，所述治具本体的下表面设置有用于限制矩形intel芯片的位置的限位沉槽，所述限位沉槽的深度与所述矩形intel芯片的基材厚度和焊接的锡球高度相配合，所述治具本体的中部设置有避开所述矩形intel芯片上的器件的挖空区域，所述挖空区域与所述限位沉槽连通。本实用新型提供的一种适用于矩形intel芯片的返修治具结构简单，极大提高了返修矩形intel芯片的成功率。

技术领域

本实用新型涉及SMT制程返修技术领域，具体的说，是涉及一种适用于矩形intel芯片的返修治具。

背景技术

目前，矩形的intel芯片来料时拱形度往往都是不达标的（芯片受到挤压或翻新旧料），拱形度不达标的芯片正常贴装焊接后,有较大机率会导致产品芯片四角反翘曲，芯片四角反翘曲会导致四角处的锡球没有接触到PCB焊盘，造成焊接不良等缺陷，且intel芯片返修难度大，返修成功率极低，芯片报废的风险高。

此问题，亟待解决。

实用新型内容

为了克服现有的技术的不足，本实用新型提供一种适用于矩形intel芯片的返修治具。

本实用新型技术方案如下所述：

一种适用于矩形intel芯片的返修治具，包括治具本体，所述治具本体的下表面设置有用于限制矩形intel芯片的位置的限位沉槽，所述限位沉槽的深度与所述矩形intel芯片的基材厚度和焊接的锡球高度相配合，所述治具本体的中部设置有避开所述矩形intel芯片上的器件的挖空区域，所述挖空区域与所述限位沉槽连通。

根据上述方案的本实用新型，所述限位沉槽的深度等与所述矩形intel芯片的基材厚度和焊接的锡球高度之和。

根据上述方案的本实用新型，所述限位沉槽的长度比所述矩形intel芯片的长度大0.05mm，所述限位沉槽的宽度比所述矩形intel芯片的宽度大0.05mm。

根据上述方案的本实用新型，所述限位沉槽的外边缘到所述限位沉槽的内边缘的距离为0.5mm。

根据上述方案的本实用新型，所述限位沉槽的四个角设置有与所述矩形intel芯片相配合的内R角。

根据上述方案的本实用新型，所述治具本体的上表面四周设置有延伸凸缘并形成治具外框。

进一步的，所述治具外框的四个角设置有外R角。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：

本实用新型提供的一种适用于矩形intel芯片的返修治具结构简单，通过治具的限位沉槽限位住矩形intel芯片，并配合铁条压住矩形intel芯片的四边，使用该治具返修时矩形intel芯片反翘曲的位置会受到治具的下压，直到充分与PCB板上的焊盘焊接，矩形intel芯片返修的成功率由之前几乎不可能的情况下提升至75%以上，极大提高了返修矩形intel芯片的成功率；同时，针对目前市场缺芯，二手拆机芯片及拱形度不达标芯片也可以使用该治具返修，可以降低二手矩形intel芯片或拱形度不达标的矩形intel芯片的报废率。

附图说明

图1为本实用新型的仰视图；

图2为本实用新型的俯视图。

在图中，

1、治具本体；11、限位沉槽；111、内R角；12、挖空区域；13、治具外框；131、治具外框。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。