[实用新型]一种低功耗快速晶闸管

权利要求书

1.一种低功耗快速晶闸管，由管壳上封接件（7）、门极组件（6）、上垫片（5）、芯片（4）、下垫片（3）和管壳下封接件（1）封装而成，所述芯片（4）为三端PNPN四层结构，包括P1阳极区（42）、N1长基区（43）、P2短基区（44）、阴极区N+（45）、阳极（A）、阴极（K）和门极，门极由中心门极（G）和放大门极（G’）构成，放大门极（G’）呈放射线型内指条形状，其特征在于：所述的中心门极（G）所在的P2短基区（44）表面、放大门极（G’）各内指条的P2短基区（44）表面、放大门极（G’）外侧的P2短基区（44）表面和芯片（4）外侧边沿处的P2短基区（44）表面设有阴极区P+层，分别构成中心门极P+区（49）、放大门极枝条P+区（470）、短路点P+区（46）和短路环区（48），阴极区P+层的结深为6-20μm；所述阳极（A）所在的P1阳极区（42）表面设有阳极区P+层（41），阳极区P+层（41）结深为8-20μm；所述P1阳极区（42）结深为40-100μm，P2短基区（44）结深为70-100μm，阴极区N+（45）结深为16-25μm。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗快速晶闸管，其特征在于：所述的放大门极（G’）各内指条外侧设有均匀分布的放大门极短路条（8）。

3.根据权利要求1或2所述的一种低功耗快速晶闸管，其特征在于：所述的芯片（4）中P1阳极区（42）结深比P2短基区（44）结深浅31-55μm。

4.根据权利要求3所述的一种低功耗快速晶闸管，其特征在于：所述的N1长基区（43）的厚度为240-300μm，电阻率为70-130Ω•cm。

5.根据权利要求4所述的一种低功耗快速晶闸管，其特征在于：所述的下垫片（3）与芯片（4）低温焊接。

6.根据权利要求4所述的一种低功耗快速晶闸管，其特征在于：所述的下垫片（3）、上垫片（5）为钼圆片、银垫片、铜垫片、镀层钼圆片或镀层铜垫片，或为钼圆片、银垫片和铜垫片中任2种的组合。

7.根据权利要求4所述的一种低功耗快速晶闸管，其特征在于：所述的放大门极（G’）包括呈辐射状均匀分布的仿渐开线直线型内指条，各内指条呈梯形分布，且内端相互连接或内端插入并与放大门极连接。

8.根据权利要求7所述的一种低功耗快速晶闸管，其特征在于：所述的放大门极（G’）的内指条条数为4-12条。

9.根据权利要求4所述的一种低功耗快速晶闸管，其特征在于：所述的芯片（4）台面为双负角台面造型或正、负角结构。

10.根据权利要求2所述的一种低功耗快速晶闸管，其特征在于：所述的放大门极短路条为正四边形、正三角形或圆环形排列。