[实用新型]半导体封装装置

权利要求书

1.一种半导体封装装置，其特征在于，包括：

低密度线路图案层；

高密度线路图案层，位于所述低密度线路图案层上方；

中密度线路图案层，位于所述低密度线路图案层与所述高密度线路图案层之间，电连接所述低密度线路图案层；

通孔，穿过所述高密度线路图案层，电连接所述高密度线路图案层与所述中密度线路图案层；

其中，所述中密度线路图案层相较于所述高密度线路图案层更靠近所述低密度线路图案层。

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，还包括：

粘合层，位于所述高密度线路图案层与所述中密度线路图案层之间，所述通孔穿过所述粘合层。

3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其特征在于，所述高密度线路图案层包括第一线路图案和第一介电层，所述通孔穿过至少两层所述第一介电层。

4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，所述高密度线路图案层与所述中密度线路图案层的热膨胀系数实质相等。

5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其特征在于，所述高密度线路图案层与所述中密度线路图案层均为扇出结构。

6.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其特征在于，所述中密度线路图案层不包含玻璃纤维。

7.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，所述中密度线路图案层包括埋孔，所述埋孔电连接所述低密度线路图案层，所述埋孔的孔径往所述低密度线路图案层的方向逐渐缩小。

8.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，所述高密度线路图案层包括第一线路图案，所述中密度线路图案层包括第二线路图案，所述第二线路图案的厚度大于所述第一线路图案的厚度。

9.根据权利要求8所述的半导体封装装置，其特征在于，所述低密度线路图案层包括第三线路图案，所述第二线路图案的厚度大于所述第三线路图案的厚度，所述第三线路图案的厚度大于所述第一线路图案的厚度。

10.根据权利要求9所述的半导体封装装置，其特征在于，所述第二线路图案的最小线宽大于所述第三线路图案的最小线宽，所述第三线路图案的最小线宽大于所述第一线路图案的最小线宽。

11.根据权利要求9所述的半导体封装装置，其特征在于，所述中密度线路图案层包括位于所述第二线路图案与所述低密度线路图案层之间的第二介电层，所述第二介电层的厚度大于所述第三线路图案的厚度。

12.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，所述中密度线路图案层包括第二线路图案，所述低密度线路图案层包括第三线路图案，所述第二线路图案与所述第三线路图案的金相不同。

13.根据权利要求12所述的半导体封装装置，其特征在于，所述第二线路图案包括电镀铜，所述第三线路图案包括压延铜。