[实用新型]一种多输出端口的晶硅太阳能电池结构

权利要求书

1.一种多输出端口的晶硅太阳能电池结构，其特征是：包括并排布置在衬底上的多个结构单元，每个结构单元包括多个独立的小功率发电单元叠加组成的多层发电结构，相邻二个小功率发电单元之间通过绝缘层相互绝缘，多个小功率发电单元和绝缘层的宽度由下至上逐渐减小，使每个结构单元的横截面呈上窄下宽的等腰梯形；用于将入射光耦合进每个小功率发电单元内，使每个小功率发电单元产生波导效应；每个小功率发电单元分别设有一组输出端，用于单独向外部用电对象供电或实现相互之间的电连接；

在相邻二个结构单元之间分别设有聚光隔板，用于降低每个结构单元顶部金属电极的光遮蔽损耗，并将入射光线汇聚到相邻二个结构单元之间发生多次反射。

2.根据权利要求1所述的一种多输出端口的晶硅太阳能电池结构，其特征是：每个结构单元的横截面两腰所夹顶角为54.74±5°，用于引导入射到聚光隔板内部的光经结构单元表面不断反射后仍保持向底面传播的趋势，从而在每个小功率发电单元两侧的三角耦合区表面处发生光耦合作用。

3.根据权利要求1或2所述的一种多输出端口的晶硅太阳能电池结构，其特征是：每个小功率发电单元是由晶硅电池层和设在晶硅电池层上下两侧的金属电极电连接而成；其中位于最底层的小功率发电单元底面的金属电极为平板状电极，其余金属电极均为窄条状电极。

4.根据权利要求3所述的一种多输出端口的晶硅太阳能电池结构，其特征是：位于最底层的小功率发电单元的X向宽度L为0.5～5mm，每个小功率发电单元的晶硅电池层为梯形且厚度为0.5μm～70μm，使位于最底层的每个小功率发电单元的输出功率仅为传统单个电池芯片输出功率的1/50～1/1000，其量值与传统电池芯片切割过程中切痕的功率损失相当。

5.根据权利要求1所述的一种多输出端口的晶硅太阳能电池结构，其特征是：所述聚光隔板中的平凸透镜区的焦点位于结构单元顶端的水平面附近，用于实现入射光在结构单元内产生由上至下的吸收顺序。

6.根据权利要求1或5所述的一种多输出端口的晶硅太阳能电池结构，其特征是：所述聚光隔板为EVA膜透光绝缘材料制成。

7.根据权利要求1所述的一种多输出端口的晶硅太阳能电池结构，其特征是：所述绝缘层为SiO₂膜制成，用于在相邻二个小功率发电单元之间分别形成辅助耦合区，使入射光在每个绝缘层的上、下表面之间反射过程中，不断被耦合进入到该绝缘层上、下两侧的小功率发电单元中。