[实用新型]光伏组件有效
申请号: | 202220998769.7 | 申请日: | 2022-04-27 |
公开(公告)号: | CN217983362U | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 邓士锋;李婷婷;孟小伟;赵亚婷;许涛 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 | 代理人: | 卢春燕 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 组件 | ||
本实用新型公开了一种光伏组件,包括:正面盖板;背面盖板,背面盖板设在正面盖板的厚度方向上的一侧;光伏电池层,光伏电池层设在正面盖板和背面盖板之间,光伏电池层包括沿第一方向排布的多个电池串,每个电池串包括沿与第一方向垂直的第二方向排布的多个电池片;正面胶膜层,正面胶膜层设在正面盖板和光伏电池层之间,正面胶膜层与光伏电池层之间的粘接力为F1,其中,F1满足:F1≥40N/cm;背面胶膜层,背面胶膜层设在光伏电池层和背面盖板之间。根据本实用新型的光伏组件,在保证光伏组件的光电转换率的同时,可以有效提高正面胶膜层与光伏电池层之间的连接可靠性,防止正面胶膜层与光伏电池层产生分离,保证了光伏组件的使用寿命。
技术领域
本实用新型涉及光伏技术领域,尤其是涉及一种光伏组件。
背景技术
光伏技术的发展推动着与太阳能电池相关产业的不断壮大,从而对太阳能电池设备的要求也日趋提高。在光伏组件的生产过程中,需要将电池片通过焊带连接以组成电池串,然后将多个电池串排列整齐连接成光伏组件。
相关技术中,在光伏组件的使用过程中,由于光伏组件长期接收强太阳光的照射,使得光伏组件的正面胶膜层和电池层容易发生分离,造成光伏组件产生分层现象,从而会影响光伏组件的可靠性,且会降低光伏组件的使用寿命。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型的一个目的在于提出一种光伏组件,可以有效提高正面胶膜层与光伏电池层之间的连接可靠性,防止正面胶膜层与光伏电池层产生分离,保证了光伏组件的使用寿命。
根据本实用新型实施例的光伏组件,包括:正面盖板;背面盖板,所述背面盖板设在所述正面盖板的厚度方向上的一侧;光伏电池层,所述光伏电池层设在所述正面盖板和所述背面盖板之间,所述光伏电池层包括沿第一方向排布的多个电池串,每个所述电池串包括沿与所述第一方向垂直的第二方向排布的多个电池片;正面胶膜层,所述正面胶膜层设在所述正面盖板和所述光伏电池层之间,所述正面胶膜层与所述光伏电池层之间的粘接力为F1,其中,所述F1满足:F1≥40N/cm;背面胶膜层,所述背面胶膜层设在所述光伏电池层和所述背面盖板之间。
根据本实用新型实施例的光伏组件,通过使面胶膜层与光伏电池层之间的粘接力F1满足:F1≥40N/cm,与传统的光伏组件相比,在保证光伏组件的光电转换率的同时,可以有效提高正面胶膜层与光伏电池层之间的连接可靠性,防止正面胶膜层与光伏电池层产生分离,保证了光伏组件的使用寿命。
根据本实用新型的一些实施例,所述正面胶膜层的交联度为X,其中,所述X满足:75%≤X≤95%。
根据本实用新型的一些实施例,所述正面胶膜层在波长介于380nm~1100nm之间的紫外线的透光率为P,其中,所述P满足:P≥91%。
根据本实用新型的一些实施例,所述正面胶膜层的体积电阻率为ρ,其中,所述ρ满足:ρ≥7.0E+16Ω·cm。
根据本实用新型的一些实施例,所述正面胶膜层为POE胶膜层。
根据本实用新型的一些实施例,所述背面胶膜层为EVA胶膜层或POE胶膜层。
根据本实用新型的一些实施例,当所述背面胶膜层为EVA胶膜层时,所述背面胶膜层与所述背面盖板之间的粘接力为F2,其中,所述F2满足:F2≥20N/cm。
根据本实用新型的一些实施例,所述背面胶膜层的熔融指数为MI,其中,所述MI满足:MI≥15g/10min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202220998769.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高温烟气过滤用多孔陶瓷除尘结构
- 下一篇:一种具有供电组件的MRI设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的