[实用新型]一种光刻Wafer音叉晶片测量仪器

说明书

本实用新型公开了一种光刻Wafer音叉晶片测量仪器，包括如下组成部分：定位平台，其内部开设有与负压源连通的负压管路；wafer片，固定在定位平台上；测量系统，设置在wafer片上方，测量系统的探针与频率计连接，探针依序对wafer片上的各音叉晶片的根部施加振动；负压孔，开设在定位平台上并与负压管路连通，负压孔与音叉晶片位置对应；所述探针施加振动时负压孔关闭，所述探针离开音叉晶片后负压孔开启。本实用新型快速流动的气流形成气态阻尼，快速消耗音叉晶片的振动能量，从而结束该区域音叉晶片的起振，使得探针到达下一测量的音叉晶片时可直接进行测量，大幅提高了测量效率。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，具体是一种光刻Wafer音叉晶片测量仪器。

背景技术

在21世纪随着技术的进步以及市场应用的变化，石英晶体谐振器呈现先小型化、高精度、低功耗的发展趋势。其次，石英晶体谐振器向更高精度与更高稳定度方向发展。石英晶体谐振器逐渐小型化、薄片化和片式化，为其提高精度和稳定度提出更大挑战。从市场应用角度看，石英晶体谐振器为电子产品提供稳定的时钟频率，其精度和稳定度对下游产品的质量、性能以及后期维护成本具有至关重要的影响。小型化、超高频石英晶体谐振器是未来5G应用的技术发展趋势。而光刻音叉晶片是超小型音叉型晶体谐振器最主要的原物料之一，是小型低功耗谐振器核心部件，晶片的好坏将直接决定器件的性能。

晶片经加工后得到的wafer片，需对整片wafer片上的音叉晶片进行频率测量，目前频率测量需要通过探针来进行，探针对音叉晶片施加振动后，会产生振动波，影响相邻产品起振，需要等待相邻产品起振结束后再进行测量，测量效率极低；与此同时由于wafer片厚度极低，测量时不易固定，因此亟待解决，因此亟待解决。

发明内容

为了避免和克服现有技术中存在的技术问题，本实用新型提供了一种光刻Wafer音叉晶片测量仪器。本实用新型大幅提高了对音叉晶片的测量效率。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种光刻Wafer音叉晶片测量仪器，包括如下组成部分：

定位平台，其内部开设有与负压源连通的负压管路；

wafer片，固定在定位平台上；

测量系统，设置在wafer片上方，测量系统的探针与频率计连接，探针依序对wafer片上的各音叉晶片的根部施加振动；

负压孔，开设在定位平台上并与负压管路连通，负压孔与音叉晶片位置对应；所述探针施加振动时负压孔关闭，所述探针离开音叉晶片后负压孔开启。

作为本发明进一步的方案：所述定位平台上开设有与wafer片表面贴合的吸附孔，所述负压管路分流形成与吸附孔连通的第一负压通道以及与负压孔连通的第二负压通道，所述第二负压通道上设置有电磁阀以控制负压孔的启闭。

作为本发明再进一步的方案：所述定位平台表面凸设有与wafer片抵接的并呈L型分布的定位凸起，各定位凸起彼此配合后形成对wafer片直角定位的定位端。

作为本发明再进一步的方案：所述测量系统上开设有位于探针上方的观测口，CCD识别系统固定在测量系统上。

作为本发明再进一步的方案：定位平台以及测量系统均安装在固定座上，所述固定座上设置有彼此垂直布置的X向滑台以及Y向滑台，定位平台固定在X向滑台的安装座上；所述Y向滑台上还固定有沿铅垂方向运动的Z向滑台，测量系统被Z向滑台上的固定臂夹紧固定。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：