[实用新型]半导体清洗设备

权利要求书

1.一种半导体清洗设备，其特征在于，包括：

干法清洗腔，所述干法清洗腔内设置有紫外照射装置和臭氧通入口，所述紫外照射装置用于对晶圆照射第一波长的紫外光以使光刻胶材料分解，所述臭氧通入口用于通入臭氧并利用臭氧分解出原子氧，以氧化晶圆上被分解的光刻胶材料而去除光刻胶；

湿法清洗腔，所述湿法清洗腔用于提供氨水和双氧水的混合清洗液，用于对去除光刻胶后的晶圆进行湿法清洗；以及，

转换腔，所述转换腔连接所述干法清洗腔和所述湿法清洗腔，以通过所述转换腔使晶圆在不同腔体之间传输。

2.如权利要求1所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述第一波长的紫外光还用于使臭氧分解出氧气和原子氧。

3.如权利要求1或2所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述第一波长的紫外光的波长范围为150nm～200nm。

4.如权利要求1所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述紫外照射装置还用于产生的第二波长的紫外光，所述第二波长的紫外光用于使氧气分解而产生臭氧和原子氧。

5.如权利要求4所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述第二波长的紫外光的波长范围为250nm～300nm。

6.如权利要求1所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述紫外照射装置包括至少两个汞灯。

7.如权利要求1所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述干法清洗腔连接抽气泵，至少用于抽出由原子氧氧化光刻胶材料所产生的反应气体。

8.如权利要求1所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述干法清洗腔的臭氧通入口连接臭氧发生器，以为所述干法清洗腔供应臭氧。

9.如权利要求1所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述湿法清洗腔中设置有旋转承载台和喷头，所述旋转承载台用于承载晶圆，所述喷头用于对旋转承载台上的晶圆喷洒清洗液以进行清洗。

10.如权利要求9所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述旋转承载台还用于在湿法清洗完毕后带动晶圆旋转，以干燥晶圆。