[实用新型]一种降低热应力影响的半导体制冷片

权利要求书

1.一种降低热应力影响的半导体制冷片，其特征在于，包括第一基板、第二基板、导电线和多个晶粒，第一基板与导电线连接，所述第一基板和第二基板相对设置，晶粒在第二基板和第一基板之间阵列分布，阵列分布的多个晶粒中，远离导电线的边角上的晶粒为支撑晶粒，其余晶粒为导电晶粒，所述第一基板和第二基板上均设有与每列导晶粒相对应的导电片，同一列中的晶粒通过导电片相互串联，所述第一基板和第二基板上设有导电连接片，相邻两列晶粒的两端通过导电连接片相互串联，所述第一基板和第二基板与支撑晶粒位置相对应处均设有支撑导片，所述支撑晶粒的两端面与支撑导片相焊接。

2.如权利要求1所述的降低热应力影响的半导体制冷片，其特征在于，阵列分布的多个晶粒中，远离导电线的边角上设有两个所述支撑晶粒。

3.如权利要求2所述的降低热应力影响的半导体制冷片，其特征在于，所述支撑导片连接相邻的两个支撑晶粒。

4.如权利要求1所述的降低热应力影响的半导体制冷片，其特征在于，所述支撑晶粒的数量为两个，两个支撑晶粒分别位于远离导电线的侧边的两端上。

5.如权利要求4所述的降低热应力影响的半导体制冷片，其特征在于，所述支撑晶粒的两端面设有绝缘层，所述第二基板上的支撑导片与相邻的连接片为一体结构，形成L型导片，所述绝缘层与L型导片相连接，所述第一基板上的支撑导片与支撑晶粒相对应。

6.如权利要求1所述的降低热应力影响的半导体制冷片，其特征在于，所述第一基板和第二基板均为陶瓷板，所述导电片、连接片和支撑导片均为铜片。