[实用新型]一种图形化衬底及发光二极管

权利要求书

1.一种图形化衬底，其特征在于，所述图形化衬底的表面形成有图形阵列，所述图形阵列由若干凹陷单元阵列而成，所述凹陷单元由所述图形化衬底的表面向内凹陷所形成，所述凹陷单元的横截面积随所述凹陷单元的凹陷深度的增大而均匀减小，使所述凹陷单元的内侧面形成为有效反光的斜面，所述凹陷单元的底面面积大于0。

2.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述凹陷单元的底面宽度为0.2～5um。

3.根据权利要求2所述的图形化衬底，其特征在于，所述凹陷单元的宽高比为1.55～1.75。

4.根据权利要求3所述的图形化衬底，其特征在于，所述凹陷单元的内侧面与底面的夹角为110～130°。

5.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述若干凹陷单元阵列的pitch值在0.5～5um之间。

6.根据权利要求1-5任一项所述的图形化衬底，其特征在于，所述凹陷单元的顶面和底面在同一中轴线上。

7.根据权利要求1-5任一项所述的图形化衬底，其特征在于，所述凹陷单元的横截面为圆形、椭圆形或正多边形。

8.根据权利要求1-5任一项所述的图形化衬底，其特征在于，所述图形化衬底为2寸、4寸、6寸或8寸的图形化蓝宝石衬底。

9.一种发光二极管，其特征在于，包括衬底以及外延生长在所述衬底上的外延层，所述衬底为权利要求1-8任一项所述的图形化衬底，所述外延层外延生长于所述图形化衬底的形成有图形阵列的表面上。