[实用新型]夹具、沉积装置及晶圆有效
申请号: | 202221193386.9 | 申请日: | 2022-05-17 |
公开(公告)号: | CN217903100U | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 易洪昇;谭子婷;曾威;高博 | 申请(专利权)人: | 华为数字能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L23/544;C23C14/50;C23C14/04;C23C14/34;C23C14/30 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 陈斌 |
地址: | 518043 广东省深圳市福田区香蜜湖街道香*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 夹具 沉积 装置 | ||
1.一种夹具,放置于金属化设备腔内,并用于夹取晶圆,其特征在于,所述夹具包括夹具本体,所述夹具本体设有沉槽,所述沉槽的底部形成有通孔,所述通孔的侧壁设有遮挡部,所述遮挡部用于遮挡所述晶圆的背面,并使得所述晶圆背面在沉积金属时,所述晶圆背面形成的金属膜层对应所述遮挡部的位置具有镂空区。
2.根据权利要求1所述的夹具,其特征在于,所述通孔的侧壁设有遮挡部,所述遮挡部包括至少两个遮挡片;
当所述遮挡部包括两个遮挡片时,两个所述遮挡片对称设置;
当所述遮挡部包括多个遮挡片时,至少两个所述遮挡片对称设置。
3.根据权利要求2所述的夹具,其特征在于,遮挡部包括两个遮挡片,两个所述遮挡片沿第一直线对称设置,所述第一直线为经过所述通孔的圆心的直线;
所述遮挡片包括两个第一侧边和一个第二侧边,两个所述第一侧边平行设置,两个所述第一侧边的第一端分别与所述通孔的侧壁连接,所述第二侧边的两端分别与所述两个所述第一侧边的第二端连接,且所述第二侧边垂直于所述第一侧边。
4.根据权利要求3所述的夹具,其特征在于,所述晶圆包括多个晶粒,沿所述第一侧边的延伸方向,所述第一侧边的尺寸大于等于两个所述晶粒的尺寸之和;
沿所述第二侧边的延伸方向,所述第二侧边的尺寸大于等于两个所述晶粒的尺寸之和。
5.根据权利要求2所述的夹具,其特征在于,所述遮挡部包括四个遮挡片,其中两个所述遮挡片和另外两个所述遮挡片沿第一直线对称设置;
位于所述第一直线同一侧的两个所述遮挡片中,两个所述遮挡片沿第二直线对称设置;其中,所述第一直线和所述第二直线均为经过所述通孔的圆心的直线,且所述第一直线垂直于所述第二直线。
6.根据权利要求5所述的夹具,其特征在于,所述遮挡片包括第三侧边和第四侧边,所述第三侧边的第一端与所述通孔的侧壁连接,所述第四侧边的第一端与所述通孔的侧壁连接,所述第三侧边的第二端与所述第四侧边的第二端连接,并且所述第三侧边垂直于所述第四侧边。
7.根据权利要求1-6任一项所述的夹具,其特征在于,所述沉槽的侧壁设有用于对所述晶圆定位的定位面,和/或,所述通孔的侧壁设有用于对所述晶圆定位的定位面。
8.根据权利要求1-7任一项所述的夹具,其特征在于,所述沉槽的直径比所述晶圆的直径大1mm-3mm。
9.根据权利要求8所述的夹具,其特征在于,所述通孔的直径比所述晶圆的直径小1mm-6mm。
10.根据权利要求1-9任一项所述的夹具,其特征在于,所述夹具本体的材料为金属、陶瓷和合金中的一种。
11.一种沉积装置,用于在晶圆的背面沉积金属,其特征在于,包括载物台以及如权利要求1-10任一项所述的夹具,其中:
所述载物台用于承载所述晶圆,且所述晶圆的正面朝向所述载物台;
所述夹具放置于所述载物台上,且所述夹具的所述沉槽沿所述晶圆的周侧对所述晶圆进行限位,所述遮挡部位于所述晶圆背离所述载物台的一侧,且所述晶圆在所述载物台上的正投影与所述遮挡部在所述载物台上的正投影具有重叠区域。
12.根据权利要求11所述的沉积装置,其特征在于,所述晶圆的正面设有多个元件,多个所述元件阵列分布,所述载物台朝向所述夹具的一侧设有保护膜层,所述保护膜层对应于所述元件的部位设有凹槽。
13.一种如权利要求11或12所述的沉积装置制备的晶圆,其特征在于,所述晶圆的正面设有对位标记,所述晶圆的背面覆盖有金属膜层;
所述金属膜层具有通过所述遮挡部形成的镂空区,所述镂空区正对于所述晶圆正面的对位标记。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造