[实用新型]一种低WDL的可变光衰减器

说明书

本实用新型公开一种低WDL的可变光衰减器，其沿光路方向依序包括C透镜、玻璃块和MEMS芯片。本实用新型通过优化C透镜和MEMS芯片的角向位置关系，实现最小衰减小于0.5dB且衰减0‑20dB范围内波长相关的插入损耗WDL小于0.2dB。

技术领域

本实用新型涉及光纤通信技术领域，尤其涉及一种低WDL的可变光衰减器。

背景技术

在光通信器件中，可变光衰减器是一种实现信号光插入损耗可调的器件。器件在整个0-20dB的衰减范围内的波长相关的插入损耗WDL是核心的光学指标。

发明内容

为克服现有技术中的不足，本实用新型的目的在于提供一种低WDL的可变光衰减器。

为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种低WDL的可变光衰减器，其沿光路方向依序包括C透镜、玻璃块和MEMS芯片，所述C透镜的中心轴垂直于玻璃块的前端面，C透镜前端斜面与竖直面的夹角为8deg，所述玻璃块的前端面和后端面与竖直面的夹角均为0deg；所述MEMS芯片的反射镜面与玻璃块的前端面和后端面的夹角均为3 deg。

一种低WDL的可变光衰减器，其沿光路方向依序包括C透镜、玻璃块和MEMS芯片，所述C透镜的中心轴垂直于玻璃块的前端面，C透镜前端斜面与竖直面的夹角为8deg，所述玻璃块的前端面与竖直面的夹角为1.5 deg，玻璃块的后端面与竖直面的夹角为0deg，所述MEMS芯片的反射镜面与玻璃块的后端面平行。

进一步的，所述C透镜由N-SF11材料成型。

进一步的，所述玻璃块与MEMS芯片封装在一起。

本实用新型采用以上技术方案，通过优化C透镜和MEMS芯片的角向位置关系，实现最小衰减小于0.5dB且衰减0-20dB范围内波长相关的插入损耗WDL小于0.2dB。

附图说明

以下结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步详细说明；

图1为本实用新型实施例1的器件结构光路示意图；

图2为实施例1的WDL和衰减的关系曲线示意图；

图3为本实用新型实施例2的器件结构光路示意图；

图4为实施例1的WDL和衰减的关系曲线示意图。

具体实施方式

请参照图1，实施例1：一种低WDL的可变光衰减器，其沿光路方向依序包括C透镜1、玻璃块和MEMS芯片3，C透镜1由N-SF11材料成型，C透镜1的中心轴垂直于玻璃块的前端面21，C透镜1前端斜面与竖直面的夹角为8deg，玻璃块的前端面21和后端面22与竖直面的夹角均为0deg；MEMS芯片3与玻璃块封装在一起，MEMS芯片3的反射镜面与玻璃块的前端面21和后端面22的夹角均为3 deg，即初始MEMS芯片3的反射镜面和C透镜1光轴夹角成93deg，然后给MEMS芯片3加电，MEMS芯片3如图1-1所示方向旋转实现衰减，在0-20dB衰减范围内波长相关的插入损耗WDL可小于0.2dB，具体的WDL和衰减的关系曲线如图2。

请参照图3，实施例2：一种低WDL的可变光衰减器，其沿光路方向依序包括C透镜1、玻璃块和MEMS芯片3，C透镜1由N-SF11材料成型，C透镜1的中心轴垂直于玻璃块的前端面21，C透镜1前端斜面与竖直面的夹角为8deg，玻璃块的前端面21与竖直面的夹角为1.5deg，玻璃块的后端面22与竖直面的夹角为0deg，MEMS芯片3与玻璃块封装在一起，MEMS芯片3的反射镜面与玻璃块的后端面22平行。即初始MEMS芯片3的反射镜面和C透镜11光轴夹角成91.5deg，双孔光纤头调试实现最小衰减。然后给MEMS芯片3加电，MEMS芯片3如图3所示方向旋转实现衰减，在0-20dB衰减范围内波长相关的插入损耗WDL可小于0.2dB，WDL和衰减的关系曲线如图4。

上面结合附图对本实用新型的实施加以描述，但是本实用新型不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式是示意性而不是加以局限本实用新型，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本实用新型的权利要求和说明书的范围当中。