[实用新型]可控硅电路

权利要求书

1.可控硅电路，其特征在于，包括用于控制电路的MCU芯片U1、用于触发控制可控硅的导通的过零检测电路、用于功率高低切换的控制电路，所述MCU芯片U1的RELAY端口、BAT端口与控制电路电性连接，所述控制电路包括高功率控制电路和可控硅控制电路；

所述高功率控制电路包括继电器RELAY1，所述继电器RELAY1的线圈一端接入+12V电源并和二极管D2的一端连接，所述二极管D2的另一端与继电器RELAY1的线圈另一端共接于三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的基极与电阻R9、电阻R10的一端连接，所述电阻R10的另一端和三极管Q1的发射极公共接地，所述电阻R9的另一端与MCU芯片U1的RELAY端口通过导线电性连接；

所述可控硅控制电路包括可控硅BT1，所述可控硅BT1的阳极分别与电阻R6、电阻R7的一端连接，所述电阻R7的一端与继电器RELAY1的开关一端连接，且与过零检测电路的ACL端连接，所述电阻R6的另一端与光电耦合器IC3控制端的一端连接，所述光电耦合器IC3控制端的另一端与可控硅BT1的触发极连接，所述可控硅BT1的触发极与阴极之间接入有电阻R8，所述电阻R7的另一端与电容C2的一端连接，所述电容C2的另一端分别与HEAT_L端口以及可控硅BT1的阴极连接；

所述光电耦合器IC3接收端的一端与电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端接入+5V电源，所述光电耦合器IC3接收端的另一端与MCU芯片U1的BAT端口连接。

2.根据权利要求1所述的可控硅电路，其特征在于：所述过零检测电路与ACN端与HEAT_N端口电性连接，所述过零检测电路的ACL端的市电经过HEAT_L端口再到HEAT_N端口，形成回路，所述MCU芯片U1的RA1/SDO端与过零检测电路的ZERO端电性连接。

3.根据权利要求2所述的可控硅电路，其特征在于：所述过零检测电路包括光电耦合器U2，所述光电耦合器U2的发光二极管的一端为ACN端，ACN端接入市电，且ACN端与二极管D1、光电耦合器U2、电阻R2、电阻R1共同构成回路，所述光电耦合器U2的光电三极管的一端分别与电阻R3、电阻R4的一端连接，所述电阻R3的另一端接入+5V电源，电阻R4的另一端与MCU芯片U1的RA1/SDO端以及电容C1的一端连接，所述电容C1的另一端与光电耦合器U2的光电三极管另一端公共接地。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的可控硅电路，其特征在于：所述MCU芯片U1采用CMS79FT623型号单片机。

5.根据权利要求3所述的可控硅电路，其特征在于：所述光电耦合器U2采用PC817型号的光电耦合器。

6.根据权利要求1所述的可控硅电路，其特征在于：所述光电耦合器IC3采用的型号为MOC3021。