[实用新型]一种反应腔底板、散热装置及MPCVD设备有效
申请号: | 202221234289.X | 申请日: | 2022-05-23 |
公开(公告)号: | CN217628615U | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 吴丹;黄春林;刘文科;李俊宏;季宇 | 申请(专利权)人: | 成都纽曼和瑞微波技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;C23C16/44 |
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地址: | 610052 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 反应 底板 散热 装置 mpcvd 设备 | ||
1.一种反应腔底板,包括贯穿厚度方向的第一通孔(1),其特征在于:还包括贯穿厚度方向的第二通孔(2)、和贯穿厚度方向的第三通孔(3),所述第二通孔(2)围绕并靠近第一通孔(1)设置,所述第三通孔(3)围绕并远离第一通孔(1)设置。
2.根据权利要求1所述的反应腔底板,其特征在于:还包括凹槽(4),所述凹槽(4)围绕第一通孔(1)设置,所述第二通孔(2)与凹槽(4)连通。
3.根据权利要求1或2任一项所述的反应腔底板,其特征在于:所述第二通孔(2)均布设置;或者/并且,所述第三通孔(3)均布设置。
4.根据权利要求3所述的反应腔底板,其特征在于:所述第二通孔(2)与第三通孔(3)交错设置。
5.根据权利要求4所述的反应腔底板,其特征在于:所述第二通孔(2)与第三通孔(3)的数量相同且大小相等。
6.一种散热装置,包括样品台(5)、支承环(6)、密封件(7),其特征在于:还包括权利要求1至5任一项所述的反应腔底板,所述样品台(5)、支承环(6)和反应腔底板依次连接,所述密封件(7)设置在第一通孔(1)中,所述样品台(5)的下表面、支承环(6)的内壁、反应腔底板的上表面和密封件(7)的上表面形成容纳腔(8),所述第二通孔(2)和第三通孔(3)均与所述容纳腔(8)连通。
7.根据权利要求6所述的散热装置,其特征在于:还包括过渡件(9),所述过渡件(9)设置有通道(10),所述通道(10)与凹槽(4)连通。
8.一种MPCVD设备,其特征在于:所述MPCVD设备包括权利要求1至5任一项所述的反应腔底板。
9.一种MPCVD设备,其特征在于:所述MPCVD设备包括权利要求6或7任一项所述的散热装置。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的