[实用新型]一种45mm封装的IGBT模块

说明书

本实用新型涉及微电子技术领域，公开了一种45mm封装的IGBT模块，包括：45mm外壳和IGBT芯片，所述45mm外壳顶部等分为三个区域，所述45mm外壳顶部其中两个区域中电性连接有IGBT芯片和FRD芯片，本实用新型通过对45mm外壳上DBC结构的改善和芯片排列的优化，使得焊接区域排列更加紧凑，使得45mmIGBT模块内部可以承载更大功率的芯片，相比同功率的IGBT模块，体积仅为同功率模块的2/3；模块的体积大大减小，提高DBC基板的利用率，节省了物料成本；面积的缩小，在工序生产环节可产出更多数量模块，节约了生产成本，生产效率增加。

技术领域

本实用新型涉及微电子技术领域，具体为一种45mm封装的IGBT模块。

背景技术

IGBT是由MOSFET和双极型晶体管符合而成的一种器件，其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作在几十KHZ频率范围，在现代工业电子技术中广泛应用，如变频器，空调，焊机，光伏，汽车等行业。

在中功率模块中，现有45mm Econo PIM 2模块封装的电流大多为15A-50A；大于50A的模块多采用62mm Econo PIM 3封装，45mmEcono PIM 2模块封装时的DBC基板的利用率低，使得模块内部承载的芯片功率低，生产成本较高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种45mm封装的IGBT模块，以解决上述背景技术中提出的现有的45mmEcono PIM 2模块封装时的DBC基板的利用率低，使得模块内部承载的芯片功率低，生产成本较高的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种45mm封装的IGBT模块，包括：45mm外壳和IGBT芯片，所述45mm外壳顶部等分为三个区域，所述45mm外壳顶部其中两个区域中电性连接有IGBT芯片和FRD芯片，

所述45mm外壳顶部另外一侧区域下半部电性连接有整流芯片，所述45mm外壳顶部位于整流芯片所在区域上半部一侧设有IGBT制动芯片，所述45mm外壳顶部位于整流芯片所在区域上半部另一侧设有FRD制动芯片。

进一步的，所述45mm外壳呈矩形，所述45mm外壳顶部一周设有引脚电极，所述引脚电极通过导线与45mm外壳上的芯片电性连接。

进一步的，所述45mm外壳顶部四角设有安装螺纹柱。

进一步的，所述45mm外壳顶部一周设有外框，所述外框内部设有引脚通孔。

进一步的，所述45mm外壳顶部两端开设有U型槽。

进一步的，所述IGBT芯片有六个，所述FRD芯片有六个，所述整流芯片有六个，所述IGBT芯片和FRD芯片呈两两相邻排布。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型通过设置的45mm外壳，实现了在45mm封装的IGBT模块使用时，通过对45mm外壳上DBC结构的改善和芯片排列的优化，使得焊接区域排列更加紧凑，使得45mmIGBT模块内部可以承载更大功率的芯片，能够将原有的同功率62mm封装的芯片封装到45mm结构中，相比同功率的IGBT模块，体积仅为同功率模块的2/3；模块的体积大大减小，提高DBC基板的利用率，节省了物料成本；面积的缩小，在工序生产环节可产出更多数量模块，节约了生产成本，生产效率增加。

附图说明

图1为本实用新型一种45mm封装的IGBT模块的结构示意图；

图2为本实用新型一种45mm封装的IGBT模块的引脚电极电性连接图。