[实用新型]一种MOS结构的功率晶体管有效
申请号: | 202221262645.9 | 申请日: | 2022-05-25 |
公开(公告)号: | CN217616214U | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 张泽华 | 申请(专利权)人: | 深圳市飞兆微电子有限公司 |
主分类号: | B08B1/00 | 分类号: | B08B1/00;B08B13/00;H01L23/49 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区华强北街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mos 结构 功率 晶体管 | ||
1.一种MOS结构的功率晶体管,包括管体(1),其特征在于:所述管体(1)的底部固定连接有引脚(2),所述引脚(2)的表面套接有卡箍(3),所述卡箍(3)的内壁固定连接有刷毛(4),所述卡箍(3)的左侧固定连接有组装板(5),所述组装板(5)的正面开设有与背面相连通的螺纹孔(6)。
2.根据权利要求1所述的一种MOS结构的功率晶体管,其特征在于:所述卡箍(3)的数量为三个,三个卡箍(3)之间通过连接杆(7)固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种MOS结构的功率晶体管,其特征在于:所述卡箍(3)一共有两套,两套卡箍(3)之间搭接形成环形。
4.根据权利要求1所述的一种MOS结构的功率晶体管,其特征在于:所述组装板(5)和螺纹孔(6)的数量均为两个,两个螺纹孔(6)之间螺纹连接有螺杆(8)。
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