[实用新型]存储电容器

说明书

本实用新型提供一种存储电容器，包括：在剖面结构上，包括半导体衬底、位于半导体衬底上的绝缘层、绝缘层上的第一介质层、第一介质层上的第一导电层、第一导电层上的第二介质层和第二介质层上的第二导电层，其中，位于底部和侧壁处的第一导电层和第二导电层形成U型折叠区；位于第二导电层上的第三介质层和第三介质层上的第三导电层，第三导电层通过第一板接触通孔与第一导电层电连接，第三导电层通过第二板接触通孔与第二导电层电连接；在平面结构上，第一板接触通孔所接触的第一导电层周围未设置其它导电层，以及所述第二板接触通孔所接触的第二导电层周围未设置其它导电层。该存储电容器能够提供自对准板接触通孔结构，提升存储电容器的性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种存储电容器。

背景技术

存储电容器的单位存储单元一般包括一个存储电容及一个MOS晶体管。其存储密度的增加需要单位面积上集成更多的存储单元以及单位存储单元存储更多的信息。随着半导体技术集成度和芯片性能要求的提高，芯片面积不断缩小，为了实现单位面积上集成更多的存储单元，对工艺的要求也越来越高。

当半导体器件的集成度增加时，对一个层连接到其它层的板接触通孔的位置定位精准度要求较高，但目前板接触孔的定位精度不高，可能造成板接触通孔结构与两个以上的金属电极板同时发生接触，发生短路，从而影响容器的性能。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种新型的存储电容器，用以提供自对准板接触通孔结构，提升存储电容器的性能。

为实现上述目的，本实用新型的一种存储电容器，包括：在剖面结构上，包括半导体衬底、位于半导体衬底上的绝缘层、绝缘层上的第一介质层、第一介质层上的第一导电层、第一导电层上的第二介质层和第二介质层上的第二导电层，其中，位于底部和侧壁处的第一导电层和第二导电层形成U型折叠区；位于第二导电层上的第三介质层和第三介质层上的第三导电层，第三导电层通过第一板接触通孔与第一导电层电连接，第三导电层通过第二板接触通孔与第二导电层电连接；在平面结构上，第一板接触通孔所接触的第一导电层的周围未设有其它导电层，以及第二板接触通孔所接触的第二导电层的周围未设有其它导电层。

本实用新型提供的存储电容器的有益效果在于：因不同导电层相邻，所以若板接触孔的定位精度不高，可能造成板接触通孔结构与两个以上的金属电极板同时发生接触，发生短路，从而影响容器的性能，所以本实施例在半导体工艺设计时将板接触孔附近的不同导电层进行隔断，即接触通孔所接触的导电层的周围不再设置其它导电层，以免板接触通孔结构与两个以上的金属电极板同时发生接触，从而实现具有自对准效果的板接触通孔结构的存储电容器，提升存储电容器的性能。

在一种可能的实施方式中，所述第一导电层和所述第二导电层的导电图案均成蜂窝状，所述第一导电层和所述第二导电层的图案均呈蜂窝状，所以可以充分利用芯片面积，相比现有的圆形图案而言，该存储电容器的存储电容器的容量大，在保证存储电容器性能的前提下，提升存储电容器的容量。所述第一导电层和所述第二导电层的导电图案中预留校准区域。例如预留的校准区域中设有蜂窝图案，以便于进行光学校准。

在另一种可能的实施方式中，上述存储电容器中的所述第一掩膜层、第二掩膜层、第三掩膜层、第四掩膜层和所述第五掩膜层的材料均为氮化硅。

在一种可能的实施方式中，所述第一掩膜层、第二掩膜层、第三掩膜层、第四掩膜层和所述第五掩膜层的材料均为氮化硅。

在一种可能的实施方式中，还包括：所述绝缘层的材料为介电常数大于3.9的材料中的至少一种。

在一种可能的实施方式中，所述绝缘层的材料包括二氧化锆、氧化铝、氮化硅、二氧化铪、三氧化二钇、二氧化硅、五氧化二钽、氧化镧、二氧化钛中的至少一种。

在一种可能的实施方式中，所述第一导电层、第二导电层和第三导电层的材料均为铜、铝或钨。

附图说明