[实用新型]图像传感器有效
| 申请号： | 202221299116.6 | 申请日： | 2022-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN217444396U | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 邢家明;高喜峰;施喆天;肖海波 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：衬底和金属栅格；所述金属栅格位于所述衬底上，且具有依次层叠的第一氮化钛层、金属层和第二氮化钛层；其中，所述第一氮化钛层的厚度小于所述第二氮化钛层的厚度。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一氮化钛层的厚度是所述第二氮化钛层的厚度的1/2。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述金属层的厚度大于所述第二氮化钛层的厚度。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，与所述金属栅格相接的所述衬底的表面呈平坦状。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二氮化钛层上具有多个开口，且所述开口朝向所述衬底延伸，以依次贯穿所述第二氮化钛层、所述金属层和所述第一氮化钛层。
6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述衬底内形成有多个光电二极管，且每个所述开口暴露出至少一个所述光电二极管，以使光线入射至所述光电二极管中。
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，在所述衬底内，相邻两个所述光电二极管之间设置有深沟槽隔离结构。
8.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，多个所述开口的排布方式包括：阵列式、线性和环形。
9.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述开口内设置有滤光镜。
10.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括氧化层，所述氧化层位于所述衬底和所述金属栅格之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
