[实用新型]一种极化场调控的正负光响应探测器有效
| 申请号： | 202221353059.5 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN218069873U | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 王建禄 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L31/113 | 分类号： | H01L31/113;H01L31/0224;H01L31/18;G06N3/06 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 蒋亮珠 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 极化 调控 正负 响应 探测器 | ||
1.一种极化场调控的正负光响应探测器，其特征在于，由衬底(1)、栅电极(2)、铁电层(3)、低维半导体(4)和源漏电极(5)；
所述的栅电极(2)设有一对，间隔固定设置于衬底(1)上；
所述的铁电层(3)固定设置于衬底(1)上并完全包覆栅电极(2)；
所述的低维半导体(4)固定设置于铁电层(3)上；
所述的源漏电极(5)包括一源电极(51)和一漏电极(52)，分离设置于低维半导体(4)两侧并固定设置于铁电层(3)上。
2.根据权利要求1所述的一种极化场调控的正负光响应探测器，其特征在于，所述的衬底(1)为绝缘衬底。
3.根据权利要求1所述的一种极化场调控的正负光响应探测器，其特征在于，所述的栅电极(2)为Cr/Au底栅电极。
4.根据权利要求3所述的一种极化场调控的正负光响应探测器，其特征在于，所述的Cr/Au底栅电极中，Cr厚度为10nm，Au厚度为10nm。
5.根据权利要求3所述的一种极化场调控的正负光响应探测器，其特征在于，两栅电极(2)之间间隔距离为1μm。
6.根据权利要求1所述的一种极化场调控的正负光响应探测器，其特征在于，所述的铁电层(3)为P(VDF-TrFE)铁电材料。
7.根据权利要求1所述的一种极化场调控的正负光响应探测器，其特征在于，所述的低维半导体(4)对准栅电极(2)设置。
8.根据权利要求1所述的一种极化场调控的正负光响应探测器，其特征在于，所述的源漏电极(5)为Cr/Au源漏电极。
9.根据权利要求8所述的一种极化场调控的正负光响应探测器，其特征在于，所述的Cr/Au源漏电极中，Cr厚度为15nm，Au厚度为45nm。
10.根据权利要求7所述的一种极化场调控的正负光响应探测器，其特征在于，所述的源漏电极(5)的沟道宽度为10μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
