[实用新型]一种增加石墨舟陶瓷杆支撑架使用寿命改造结构有效
申请号: | 202221416781.9 | 申请日: | 2022-06-08 |
公开(公告)号: | CN218299813U | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 潘超;黄辉巍;陈正飞;陆宁;王军昭 | 申请(专利权)人: | 江苏顺风新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/673 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 朱晓凯 |
地址: | 213123 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增加 石墨 陶瓷 支撑架 使用寿命 改造 结构 | ||
本实用新型公开了一种增加石墨舟陶瓷杆支撑架使用寿命改造结构,其技术方案要点是:包括石英炉管,所述石英炉管的内部设置有两个陶瓷杆支撑架,两个所述陶瓷杆支撑架位于同一水平面上;加固组件,所述加固组件设置在所述陶瓷杆支撑架的外圆壁面上,用于增加所述陶瓷杆支撑架的使用寿命,通过设置陶瓷杆支撑架制成为石墨舟使用,通过石英炉管为镀膜提供低压稳定的空间,通过不锈钢套环固定在石墨舟舟脚和陶瓷杆支撑架的连接部位,对陶瓷杆支撑架进行加固,石墨舟落舟将落在不锈钢套环上面,不锈钢套环和陶瓷杆支撑架上的接触面积相比石墨舟舟脚和陶瓷杆支撑架的接触面积大大增加,从而极大增加陶瓷杆支撑架的使用寿命。
技术领域
本实用新型涉及石墨舟技术领域,具体涉及一种增加石墨舟陶瓷杆支撑架使用寿命改造结构。
背景技术
晶硅太阳能电池片制作工艺主要分为制绒、扩散、选择性发射极、刻蚀、氧化铝、正背膜钝化、丝网印刷、抗光衰、测试等步骤,正背膜钝化工艺主要目的是在太阳能电池的表面制备一层氮化硅/氮氧化硅薄膜,由于电池平原料硅片切割会使表面出现悬挂键,表面悬挂键反映在能带空间中就是在带隙中形成一定数量的陷阱能级,这些陷阱能级呈一定的分布,不同深度的陷阱能级所能引起的载流子复合的概率不同,这些表面能级还会带有正电或者负电,因此对于运动到表面的非平衡电子或者空穴有吸引和排斥作用,对于表面而言,钝化的目的就是尽量减少这些表面缺陷所能引起的非平衡载流子(通常是少数载流子)的复合。
正膜钝化层主要具有表面钝化和减反射的作用、背面镀膜主要具有钝化作用,目前业界主流采用的方法是等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术,其中以管式直接法最为普遍,如图管式低频直接法PECVD设备内部构造图,采用电阻式加热将腔体加热到所需的温度,在腔体中放置一个石墨舟(石墨制成的托架,用来承载需要镀膜的电池硅片),石墨舟由一定数量的石墨舟片组成,每两片石墨舟片具有一定间隔,每一个石墨舟片两侧放置两片硅片,两片相邻石墨舟片通以交流电压,使得两个相邻石墨舟片形成正负极,当腔体内部有一定气压和特气时(通常为氨气、硅烷、笑气),在两片石墨舟片之间就会发生辉光放电,辉光放电可以分解空间中的硅烷和氨气,形成Si和N的离子,它们相结合形成SiNx分子,沉积在硅片表面,在钝化工艺中,使用自动化设备完成对石墨舟中硅片装卸工作,装好硅片的石墨舟进入炉管内部落在陶瓷支撑管上,关闭炉门后进行淀积薄膜作业,石墨舟和陶瓷杆接触位置通常套上陶瓷环加固,但是在高温情况下,石墨舟多次累积落舟使用后,由于石墨舟舟脚和陶瓷杆支撑架接触面积很小,陶瓷杆支撑架承受的压强很大,陶瓷杆容易出现不同程度损坏和断裂,使的陶瓷杆支撑架使用寿命较短,从而使石墨舟在炉管内镀膜过程中不能保持水平状态,呈现不同程度的倾斜,从而使硅片不能和石墨舟片良好的贴合,在沉积薄膜过程中,和石墨舟片不能良好贴合的硅片会有外观绕镀镀膜不良,使电池片不可避免的出现外观瑕疵,从而影响太阳能电池片良率的下降,将使前道以及后道的制程投入全部浪费,良品率衰减PID受到极大影响,不良片全部降级,制造成本难以回收,维修需要停止正常生产降温更换新的陶瓷支架,维修调试时间长,极大的影响正常生产,使产线的设计产能不能完全释放,进一步增加了制造成本。
发明内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种增加石墨舟陶瓷杆支撑架使用寿命改造结构,解决了石墨舟舟脚和陶瓷杆支撑架接触面积很小,陶瓷杆支撑架承受的压强很大,陶瓷杆容易出现不同程度损坏和断裂,使得陶瓷杆支撑架使用寿命较短的问题。
本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:
一种增加石墨舟陶瓷杆支撑架使用寿命改造结构,包括:石英炉管,所述石英炉管的内部设置有两个陶瓷杆支撑架,两个所述陶瓷杆支撑架位于同一水平面上;加固组件,所述加固组件设置在所述陶瓷杆支撑架的外圆壁面上,用于增加所述陶瓷杆支撑架的使用寿命。
通过采用上述技术方案,通过设置陶瓷杆支撑架,通过设置陶瓷杆支撑架制成为石墨舟使用,通过石英炉管为镀膜提供低压稳定的空间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的