[实用新型]一种耐压高电流晶体管

说明书

本实用新型公开了一种耐压高电流晶体管，其技术方案要点是：包括输入端B，所述输入端B上电性连接有第一电阻，所述第一电阻上电性连接有第一ULN2803A晶体管，所述第一ULN2803A晶体管的发射基上电性连接有第二ULN2803A晶体管的基极，所述第一ULN2803A晶体管的集电极电性连接输出端C，所述第二ULN2803A晶体管的发射极上电性连接公共端E，所述第二ULN2803A晶体管的集电极与所述输出端C电性连接，所述第二ULN2803A晶体管的基极上电性连接有第二电阻。本实用新型包含八个独立的达林顿管驱动单路。单个达林顿管集电极可输出500mA电流。ULN2803A晶体管的每一路达林顿管串联一个2.7K的基极电阻，可直接与TTL/CMOS电路连接，处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。

技术领域

本实用新型涉及晶体管领域，特别涉及一种耐压高电流晶体管。

背景技术

晶体管是一种半导体器件，由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。

参照现有公开号为CN202549846U的中国专利，其公开了一种新型半导体场效应晶体管，该器件单元在导通态时，漂移区电流被引导沿漂移区纵向均匀分布，明显改善扩展电阻、电导调制效应均匀性，从而显著改善SOILDMOS器件通态电流、压降、功耗和断态耐压等性能及耐高温等可靠性，如：一、现有的晶体管在使用的时候，容易造成晶体管击穿，无法有效的实现耐压防护；二、无法实现输入兼容TTL/CMOS逻辑信号；三、无法广泛应用于继电器驱动。

实用新型内容

针对背景技术中提到的问题，本实用新型的目的是提供一种耐压高电流晶体管，以解决背景技术中提到的问题。

本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种耐压高电流晶体管，包括输入端B，所述输入端B上电性连接有第一电阻，所述第一电阻上电性连接有第一ULN2803A晶体管，所述第一ULN2803A晶体管的发射基上电性连接有第二ULN2803A晶体管的基极，所述第一ULN2803A晶体管的集电极电性连接输出端C，所述第二ULN2803A晶体管的发射极上电性连接公共端E，所述第二ULN2803A晶体管的集电极与所述输出端C电性连接，所述第二ULN2803A晶体管的基极上电性连接有第二电阻。

通过采用上述技术方案，本实用新型的ULN2803A晶体管是单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列，电路内部包含八个独立的达林顿管驱动单路。电路内部设计有续流二极管，即第一二极管，可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载。单个达林顿管集电极可输出500mA电流。将达林顿管并联可实现更高的输出电流能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻辑缓冲器。ULN2803A晶体管的每一路达林顿管串联一个2.7K的基极电阻，在5V的工作电压下可直接与TTL/CMOS电路连接，可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。

较佳的，所述第一ULN2803A晶体管的集电极上电性连接有钳位二极管，所述钳位二极管上电性连接有公共端COM。

通过采用上述技术方案，钳位二极管的设定可以有效的实现对电压进行控制调节，提高系统的驱动能力。

较佳的，所述输出端C和所述公共端E之间电性连接有第一二极管，所述第一二极管和所述第二ULN2803A晶体管并联连接。

通过采用上述技术方案，通过第一二极管实现对后续的负载进行有效的驱动调节。

较佳的，所述第二电阻的另一端与所述第一ULN2803A晶体管的基极电性连接，且第二电阻的另一端连接在所述第一电阻的一侧。

通过采用上述技术方案，为了实现有效的串联连接，使得电路在5V的工作电压下可直接与TTL/CMOS电路连接。