[实用新型]一种双路直流马达驱动电路有效
申请号: | 202221422071.7 | 申请日: | 2022-06-08 |
公开(公告)号: | CN217849266U | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 郑石磊;鲁统迎;温智晓;孙宁宁;李建强 | 申请(专利权)人: | 浙江和睿半导体科技有限公司 |
主分类号: | H02P5/68 | 分类号: | H02P5/68;H02P7/03;H02P7/28;H02H7/085 |
代理公司: | 南京普睿益思知识产权代理事务所(普通合伙) 32475 | 代理人: | 何薇 |
地址: | 325600 浙江省温州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 直流 马达 驱动 电路 | ||
本实用新型公开了一种双路直流马达驱动电路,其技术方案要点是:包括MX1919L驱动芯片,所述MX1919L驱动芯片的13引脚和16引脚上电性连接有马达M1,所述MX1919L驱动芯片的9引脚和12引脚上电性连接有马达M2,所述MX1919L驱动芯片的4引脚和8引脚电性相连成功率电源端,所述MX1919L驱动芯片的1引脚和5引脚电性相连相连成逻辑控制电源端,所述MX1919L驱动芯片的15引脚、14引脚、11引脚和10引脚电性相连成接地端,所述接地端与所述功率电源端和所述逻辑控制电源端之间电性连接有电池组,所述接地端与所述逻辑控制电源端之间电性连接有电容C2,所述接地端与所述功率电源端之间电性连接有电容C1。本实用新型能够稳定实现驱动,并且保持安全运行。
技术领域
本实用新型涉及驱动电路领域,特别涉及一种双路直流马达驱动电路。
背景技术
驱动电路用于实现对马达进行驱动,并且实现对驱动信号进行有效的控制调节。
参照现有公开号为CN104467548A的中国专利,其公开了直流马达驱动电路,上述的这种用于家具加工设备的板材定位装置采用以同极的四颗场效电晶体组成H桥接电路,并通过稳压电路、无稳态震荡电路及倍压电路驱动直流马达正反转,具有切换速度快、寿命长、成本低且可靠度高的优势,且仅需单一电源即可提供驱动电路中的所有被动元件及场效电晶体驱动电源,由两双极性电晶体即可达到直流马达正反转的控制,以此提升直流马达驱动电路的品质。但是上述装置依旧存在着一些缺点,如:一、无法有效的进行多路驱动控制调节;二、无法实现对驱动芯片进行有效的安全防护。
实用新型内容
针对背景技术中提到的问题,本实用新型的目的是提供一种双路直流马达驱动电路,以解决背景技术中提到的问题。
本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:
一种双路直流马达驱动电路,包括MX1919L驱动芯片,所述MX1919L驱动芯片的13引脚和16引脚上电性连接有马达M1,所述MX1919L驱动芯片的9引脚和12引脚上电性连接有马达M2,所述MX1919L驱动芯片的4引脚和8引脚电性相连成功率电源端,所述MX1919L驱动芯片的1引脚和5引脚电性相连相连成逻辑控制电源端,所述MX1919L驱动芯片的15引脚、14引脚、11引脚和10引脚电性相连成接地端,所述接地端与所述功率电源端和所述逻辑控制电源端之间电性连接有电池组,所述接地端与所述逻辑控制电源端之间电性连接有电容C2,所述接地端与所述功率电源端之间电性连接有电容C1。
通过采用上述技术方案,该驱动MX1919L驱动芯片,采用高可靠性功率管工艺,特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成N沟道和P沟道功率MOSFET,工作电压范围覆盖2V到8V。27℃,VDD=6.5V,两个通道同时工作的条件下,1通道最大持续输出电流达到1.45A,最大峰值输出电流达到3A;2通道最大持续输出电流达到1.45A,最大峰值输出电流达到3A。
电路设计有芯片级温度检测电路,实时监控芯片内部发热,当芯片内部温度超过设定值时,产生功率管关断信号,关闭负载电流,避免因异常使用导致的温度持续升高,芯片内置的温度迟滞电路,确保电路恢复到安全温度后,才允许重新对功率管进行控制。
本实用新型的低导通内阻MOSFET功率开关管,采用MOS工艺设计功率管,1通道1.9安功率管内阻0.35欧姆,2通道1.9安功率管内阻0.35欧姆,内部集成续流二极管,无需外接续流二极管;较小的输入电流,集成约15K对地下拉电阻,3V驱动信号平均190uA输入电流。
较佳的,所述MX1919L驱动芯片中包括有四个电平转换电路,四个所述电平转换电路的一侧电性连接有两个二极管,一侧所述二极管上并联连接有一个电阻。
通过采用上述技术方案,电平转换电路用于实现对电压进行调解处理,并且通过二极管和电阻进行有效的控制调节。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江和睿半导体科技有限公司,未经浙江和睿半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202221422071.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种耐压高电流晶体管
- 下一篇:一种车载液压提升机构