[实用新型]一种封装结构及半导体器件

说明书

本实用新型公开了一种封装结构及半导体器件。封装结构包括：封装基板；芯片，位于封装基板的表面；防翘曲环，位于封装基板的表面，且与芯片位于封装基板的同一侧；其中，防翘曲环包括至少两层防翘曲层；封装基板的翘曲方向与防翘曲环的翘曲方向相反。本实用新型实施例的技术方案实现了降低封装结构的翘曲程度的效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种封装结构及半导体器件。

背景技术

随着对芯片性能要求越来越高，芯片的面积越来越大，芯片与基板之间因为热失配造成的封装翘曲越来越严重，严重的翘曲不仅仅会导致封装内部芯片断裂以及填充材料分层，还会导致板级组装过程中，焊球与印制电路板之间的无法形成良好的互联，造成信号通道断路。

目前，为了降低封装翘曲，会设置宽度较大的金属环控制封装结构的翘曲，但是，由于芯片面积较大，以及后续散热结构的限制，金属环的宽度不能较大，使得金属环降低翘曲的程度较小，封装结构仍然存在翘曲较大的问题。

实用新型内容

本实用新型提供了一种封装结构及半导体器件，以解决封装结构存在翘曲较大的问题。

根据本实用新型的一方面，提供了一种封装结构，封装结构包括：

封装基板；

芯片，位于所述封装基板的表面；

防翘曲环，位于所述封装基板的表面，且与所述芯片位于所述封装基板的同一侧；其中，所述防翘曲环包括至少两层防翘曲层；所述封装基板的翘曲方向与所述防翘曲环的翘曲方向相反。

可选地，所述芯片的热膨胀系数大于所述封装基板的热膨胀系数，沿所述芯片指向所述封装基板的方向，至少两层所述防翘曲层的热膨胀系数逐渐增大；

或者，所述芯片的热膨胀系数小于所述封装基板的热膨胀系数，沿所述芯片指向所述封装基板的方向，至少两层所述防翘曲层的热膨胀系数逐渐减小。

可选地，所述防翘曲环围绕所述芯片设置。

可选地，所述封装基板包括至少两层铜层；

所述芯片的热膨胀系数大于所述封装基板的热膨胀系数，沿所述芯片指向所述封装基板的方向，至少两层所述铜层中铜的密度逐渐增大；

或者，所述芯片的热膨胀系数小于所述封装基板的热膨胀系数，沿所述芯片指向所述封装基板的方向，至少两层所述铜层中铜的密度逐渐减小。

可选地，所述防翘曲环通过胶体或焊锡固定于所述封装基板的表面。

可选地，至少两层所述防翘曲层键合连接。

可选地，封装结构还包括：

连接装置，位于所述封装基板远离所述芯片的一侧，所述连接装置用于将所述封装结构与印制电路板连接。

可选地，所述连接装置包括多个焊球。

可选地，所述防翘曲环的形状包括矩形、圆形或椭圆形。

根据本实用新型的另一方面，提供了一种半导体器件，半导体器件板块本实用新型任意实施方案所述的封装结构；还包括印制电路板；

所述印制电路板位于所述封装基板远离所述芯片的一侧。