[实用新型]能提高被动散热的硅基扇出型三维立体集成封装结构

权利要求书

1.一种能提高被动散热的硅基扇出型三维立体集成封装结构，包括第二硅晶圆（201），其特征是：在第二硅晶圆（201）的正面设有第二再布线层（206）并刻蚀有第二空腔（203），在第二再布线层（206）的球下金属层处植有第二焊球（212），在第二空腔（203）内通过第二DAF膜（204）水平贴装有第二芯片（205），第二芯片（205）、第二再布线层（206）与第二焊球（212）呈电性连接；

在第二硅晶圆（201）的背面设有第三再布线层（209）并刻蚀有第三空腔（210），在第三空腔（210）内通过第三DAF膜（211）垂直贴装有封装单体（107），封装单体（107）的上段露出第三空腔（210）；所述封装单体（107）包括第一硅晶圆（101），在第一硅晶圆（101）的正面所刻蚀出的第一空腔（102），在第一空腔（102）内通过第一DAF膜（103）水平贴装的第一芯片（104），在第一硅晶圆（101）正面设置的第一再布线层（105），在第一再布线层（105）的球下金属层处所植的第一焊球（106）；所述第一芯片（104）、第一再布线层（105）、第一焊球（106）与第三再布线层（209）呈电性连接；

在第二硅晶圆（201）内设有TSV通孔（202），所述第三再布线层（209）通过TSV通孔（202）与第二再布线层（206）电性连接。

2.如权利要求1所述的能提高被动散热的硅基扇出型三维立体集成封装结构，其特征是：所述第一硅晶圆（101）与第二硅晶圆（201）的尺寸为6英寸、8英寸或12英寸，所述第一空腔（102）与第二空腔（203）的深度均为55~720um。

3.如权利要求1所述的能提高被动散热的硅基扇出型三维立体集成封装结构，其特征是：所述第一DAF膜（103）、第二DAF膜（204）与第三DAF膜（211）的厚度均为5~100um。

4.如权利要求1所述的能提高被动散热的硅基扇出型三维立体集成封装结构，其特征是：所述TSV通孔（202）的直径为5~300um。