[实用新型]载有LED芯片的显示屏有效
申请号: | 202221482267.5 | 申请日: | 2022-06-14 |
公开(公告)号: | CN217507330U | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 顾伟;李文涛;简弘安;胡加辉 | 申请(专利权)人: | 江西兆驰半导体有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/62;H01L33/46 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 林劲松 |
地址: | 330224 江西省南昌市南*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 载有 led 芯片 显示屏 | ||
本实用新型实施例公开了一种载有LED芯片的显示屏,其包括:设置有若干个阳极基板焊盘、若干个阴极基板焊盘的基板;若干个LED芯片,LED芯片包括设置有若干个P型焊盘、N型焊盘的衬底、连接金属以及若干个LED子芯片;阳极基板焊盘通过金属锡连接P型焊盘,阴极基板焊盘通过金属锡连接N型焊盘,LED子芯片的P型导电金属层或N型导电金属层通过连接金属实现电性连接。本实用新型通过将P型焊盘和N型焊盘在衬底上单独设置,P型导电金属层或N型导电金属层通过连接金属实现电性连接,从而解决了现有技术中P型焊盘与N型焊盘太近导致的连锡、短路、良率低的技术问题。
技术领域
本实用新型涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种载有LED芯片的显示屏。
背景技术
近年来,随着LED芯片产业快速发展,LED显示屏应用方面逐渐从之前的户外商业显示渐渐发展为户内商业显示、安防系统、AR、VR等领域,同时应用于LED显示屏的LED芯片尺寸也逐渐缩小。
目前,传统的LED芯片在应用于LED显示屏中时,经常会出现P焊盘金属与N焊盘金属连锡,导致LED芯片短路。上述问题尤其在Micro LED芯片中更加明显,由于Micro LED芯片的P焊盘金属与N焊盘金属之间的距离更近,从而更易导致Micro LED芯片固晶在基板上之后容易出现P焊盘金属与N焊盘金属连锡,进而导致Micro LED芯片短路。因此,如何解决LED芯片在基板上固晶后容易出现连锡的风险,已成为目前亟待解决的技术问题。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种载有LED芯片的显示屏,旨在解决现有技术中LED芯片晶固在基板上容易出现P焊盘金属与N焊盘金属连锡的技术问题。
为解决上述技术问题,本实用新型实施例提供了一种载有LED芯片的显示屏,其包括:
基板,所述基板上设置有若干个阳极基板焊盘、若干个阴极基板焊盘;
若干个LED芯片,所述LED芯片包括:衬底、连接金属以及若干个LED子芯片;
其中,所述衬底上设置有若干个P型焊盘、若干个N型焊盘,每个所述阳极基板焊盘通过金属锡单独连接一个所述P型焊盘,每个所述阴极基板焊盘通过所述金属锡单独连接一个所述N型焊盘,每个所述LED子芯片的P型导电金属层或N型导电金属层通过所述连接金属实现电性连接。
优选地,在所述的载有LED芯片的显示屏中,所述布拉格反射层上设置有P型布拉格反射层通孔和N型布拉格反射层通孔;其中,所述P型焊盘通过所述P型布拉格反射层通孔电性连接所述P型导电金属层或所述连接金属,所述N型焊盘通过所述N型布拉格反射层通孔电性连接所述N型导电金属层或所述连接金属。
更优选地,在所述的载有LED芯片的显示屏中,所述布拉格反射层由5-50层SiO2和Ti3O5材料对堆叠形成。
优选地,在所述的载有LED芯片的显示屏中,所述LED子芯片还包括:电流扩展层、有源发光层、P型半导体以及N型半导体;其中,所述有源发光层设置在所述P型半导体与所述N型半导体之间,所述P型导电金属层与所述电流扩展层电性连接,所述电流扩展层与所述P型半导体电性连接以激发空穴,所述N型导电金属层与所述N型半导体的导电台阶电性连接以激发电子。
更优选地,在所述的载有LED芯片的显示屏中,所述P型半导体的正向投影小于所述N型半导体的正向投影,所述N型半导体暴露出的部分作为所述导电台阶。
更优选地,在所述的载有LED芯片的显示屏中,所述LED子芯片还包括:绝缘保护层,所述绝缘保护层上设置有P型绝缘保护层通孔和N型绝缘保护层通孔;其中,所述P型导电金属层通过所述P型绝缘保护层通孔与所述电流扩展层电性连接,所述N型导电金属层通过所述N型绝缘保护层通孔与所述N型半导体的导电台阶电性连接。
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