[实用新型]一种CCM膜电极的转印涂布设备有效

专利信息
申请号: 202221525036.8 申请日: 2022-06-17
公开(公告)号: CN217589024U 公开(公告)日: 2022-10-14
发明(设计)人: 吴欣欣;晁威 申请(专利权)人: 未势能源科技有限公司
主分类号: H01M8/1004 分类号: H01M8/1004;H01M4/88
代理公司: 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 代理人: 于丽平
地址: 201800 上海市*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 ccm 电极 转印涂 布设
【权利要求书】:

1.一种CCM膜电极的转印涂布设备,其特征在于,包括:

涂布头(100),所述涂布头(100)用于将催化层(10)涂布于涂布辊(200)上;

涂布辊(200),涂布有所述催化层(10)的所述涂布辊(200)抵接于质子交换膜(20)的一侧面上,所述涂布辊(200)能够以第一预设温度加热所述催化层(10);

压合辊(300),所述压合辊(300)与所述涂布辊(200)相对设置并抵接于所述质子交换膜(20)的另一侧面上,所述压合辊(300)能够向所述涂布辊(200)施加压力并将所述涂布辊(200)上的所述催化层(10)转印至所述质子交换膜(20)上,所述压合辊(300)能够以第二预设温度加热所述质子交换膜(20);

清洁装置,所述清洁装置抵接于所述涂布辊(200),能够在所述涂布辊(200)将所述催化层(10)涂布于所述质子交换膜(20)后清洁所述涂布辊(200)。

2.根据权利要求1所述的CCM膜电极的转印涂布设备,其特征在于,所述清洁装置包括清洁辊(400),所述清洁辊(400)位于所述涂布辊(200)与转印有所述催化层(10)的所述质子交换膜(20)之间,所述清洁辊(400)抵接于所述涂布辊(200),所述清洁辊(400)与所述涂布辊(200)长度相等。

3.根据权利要求1所述的CCM膜电极的转印涂布设备,其特征在于,所述涂布辊(200)外包覆有离型层。

4.根据权利要求3所述的CCM膜电极的转印涂布设备,其特征在于,所述离型层由PTFE膜、PET膜和PI膜中的任一种制成。

5.根据权利要求1所述的CCM膜电极的转印涂布设备,其特征在于,所述CCM膜电极的转印涂布设备还包括收卷装置,所述收卷装置用于将转印后的所述质子交换膜(20)收卷,并为所述质子交换膜(20)的运动提供动力。

6.根据权利要求1所述的CCM膜电极的转印涂布设备,其特征在于,所述涂布辊(200)的直径、转速和所述第一预设温度满足当所述涂布头(100)将所述催化层(10)涂布到所述涂布辊(200)上后,在所述涂布辊(200)上的所述催化层(10)与所述质子交换膜(20)接触时,所述催化层(10)已经被干燥。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的CCM膜电极的转印涂布设备,其特征在于,所述涂布辊(200)内设置有第一加热装置,所述第一预设温度取值范围为40℃-150℃。

8.根据权利要求1-6任意一项所述的CCM膜电极的转印涂布设备,其特征在于,所述压合辊(300)内设置有第二加热装置,所述第二预设温度取值范围为100℃-160℃。

9.根据权利要求1-6任意一项所述的CCM膜电极的转印涂布设备,其特征在于,所述压合辊(300)施加压力的取值范围为80kg-160kg。

10.根据权利要求1-6任意一项所述的CCM膜电极的转印涂布设备,其特征在于,所述涂布辊(200)、所述压合辊(300)与所述质子交换膜(20)的运动速度相同。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于未势能源科技有限公司,未经未势能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202221525036.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top