[实用新型]一种无开孔高透AR膜光伏玻璃有效
申请号: | 202221541073.8 | 申请日: | 2022-06-20 |
公开(公告)号: | CN217606838U | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 李友情;邵世强;陈林;刘笑荣;徐小明;杨文金 | 申请(专利权)人: | 信义光伏产业(安徽)控股有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;C03C17/23 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 尹婷婷 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 无开孔高透 ar 膜光伏 玻璃 | ||
本实用新型公开了一种无开孔高透AR膜光伏玻璃,包括光伏玻璃基板、第一致密二氧化硅膜、多孔二氧化硅膜,第二致密二氧化硅膜;所述第一致密二氧化硅膜设置于光伏玻璃基板的绒面,所述多孔二氧化硅膜设置于第一致密二氧化硅膜与第二致密二氧化硅膜之间,通过在光伏玻璃基材的绒面之上依次设置第一致密二氧化硅膜、多孔二氧化硅膜,第二致密二氧化硅膜,以防止玻璃基底中的钠离子通过膜的孔洞析出,造成孔洞的填堵和透过率下降,同时可防止水汽进行光伏玻璃表面,进而造成玻璃水解,造成AR玻璃出现彩虹斑,造成透过率降低。
技术领域
本实用新型属于太阳能光伏玻璃领域,涉及一种无开孔高透AR膜光伏玻璃。
背景技术
随着太阳能光伏技术的发展,太阳能组件应用于各种复杂环境,如沿海盐碱地区,亚热带湿热气候地区,此类应用环境水汽重,常规AR镀膜组件很容易出现由于水汽渗透造成玻璃腐蚀产生彩虹斑的。
CN106277825A中公开了一种含有二氧化硅减反膜层的玻璃基材及其制备方法,其公开的二氧化硅减反膜层的玻璃基材,包括玻璃和二氧化硅减反膜层,所述二氧化硅减反膜层为复合结构,包括设于玻璃上的介孔二氧化硅膜层和设于介孔二氧化硅膜层上的致密二氧化硅膜层。此结构中,介孔二氧化硅膜层直接设置于玻璃基材之上,玻璃基底中的钠离子容易通过孔洞析出,造成孔洞的填堵,膜层透过率会下降。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型提供了一种无开孔高透AR膜光伏玻璃,目的是提高光伏玻璃的透过率和或隔绝水汽的效果。
为实现上述目的,本实用新型采取的技术方案如下:
一种无开孔高透AR膜光伏玻璃,所述无开孔高透AR膜玻璃包括光伏玻璃基板、第一致密二氧化硅膜、多孔二氧化硅膜,第二致密二氧化硅膜;所述第一致密二氧化硅膜设置于光伏玻璃基板的绒面,所述多孔二氧化硅膜设置于第一致密二氧化硅膜与第二致密二氧化硅膜之间。
所述光伏玻璃基板的厚度为1~5mm。
所述第一致密二氧化硅膜厚度为70mm~90mm。
所述第一致密二氧化硅膜的折射率为1.40~1.50。
所述多孔二氧化硅膜厚度为90mm~110mm。
所述多孔二氧化硅膜的折射率为1.25~1.30。
所述第二致密二氧化硅膜厚度为10mm~20mm。如果膜层过薄封孔的效果会变差,太厚的话会影响整体膜层的透过率。
所述第二致密二氧化硅膜的折射率为1.40~1.50。
所述多孔二氧化硅膜的孔径为20~60nm,孔隙率为40~60%。
所述第一致密二氧化硅膜、第二致密二氧化硅膜的孔径均为2~20nm,孔隙率均为0~10%。
本实用新型提供的无开孔高透AR膜光伏玻璃,通过在光伏玻璃基材的绒面之上依次设置第一致密二氧化硅膜、多孔二氧化硅膜,第二致密二氧化硅膜,以防止玻璃基底中的钠离子通过膜的孔洞析出,造成孔洞的填堵和透过率下降,同时可防止水汽进行光伏玻璃表面,进而造成玻璃水解,造成AR玻璃出现彩虹斑,造成透过率降低。
附图说明
图1为本实用新型中的无开孔高透AR膜光伏玻璃的结构示意图,其中,1-光伏玻璃基板、2-第一致密二氧化硅膜、3-多孔二氧化硅膜,4-第二致密二氧化硅膜。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型进行详细说明。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信义光伏产业(安徽)控股有限公司,未经信义光伏产业(安徽)控股有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202221541073.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的