[实用新型]太阳能电池有效
申请号: | 202221544492.7 | 申请日: | 2022-06-20 |
公开(公告)号: | CN217522019U | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 金井升;廖光明;张临安 | 申请(专利权)人: | 安徽晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 姚宝然 |
地址: | 231600 安徽省合肥市肥东县合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:
基底(1),所述基底(1)的背面依次层叠设置有隧穿层(2)、场钝化层(3)、钝化功能层(4)和阻挡层(5),所述钝化功能层(4)用于释放氢原子,以使所述隧穿层(2)、所述场钝化层(3)和所述钝化功能层(4)之间的配合界面钝化,所述阻挡层(5)用于阻挡所述氢原子向空气中扩散;所述阻挡层(5)的致密度大于所述钝化功能层(4)的致密度。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述阻挡层(5)包括第一阻挡层(51)和第二阻挡层(52),所述第一阻挡层(51)设置于所述钝化功能层(4)背离所述基底(1)的一侧,所述第二阻挡层(52)设置于所述第一阻挡层(51)背离所述钝化功能层(4)的一侧;所述第二阻挡层(52)的致密度大于所述第一阻挡层(51)的致密度。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池还包括光学匹配层(6),所述光学匹配层(6)设置于所述第二阻挡层(52)背离所述第一阻挡层(51)的一侧。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述光学匹配层(6)的折射率小于所述第二阻挡层(52)的折射率。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二阻挡层(52)的折射率为2.15~2.3,所述光学匹配层(6)的折射率为2.0~2.15。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一阻挡层(51)、所述第二阻挡层(52)和所述光学匹配层(6)均为氮化硅材料层。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,所述钝化功能层(4)的厚度范围值为2~8nm,所述第一阻挡层(51)的厚度范围值为30~50nm,所述第二阻挡层(52)的厚度范围值为10~20nm,所述光学匹配层(6)的厚度范围值为20~30nm;
所述钝化功能层(4)、所述第一阻挡层(51)、所述第二阻挡层(52)和所述光学匹配层(6)的总厚度为70~80nm。
8.根据权利要求1-7任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述钝化功能层(4)为氧化铝材料层或氮化硅材料层。
9.根据权利要求2-7任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述阻挡层(5)的含氢原子浓度大于所述钝化功能层(4)的含氢原子浓度量。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二阻挡层(52)的含氢原子浓度大于所述第一阻挡层(51)的含氢原子浓度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的