[实用新型]多层堆叠式芯片封装有效
申请号: | 202221579281.7 | 申请日: | 2022-06-22 |
公开(公告)号: | CN218333791U | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 于鸿祺;林俊荣;古瑞庭 | 申请(专利权)人: | 华东科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L25/065;H01L25/18 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 堆叠 芯片 封装 | ||
1.一种多层堆叠式芯片封装,其特征在于,包含:
至少两个基板,每一该基板包括一第一基板及一第二基板位于该第一基板上方而形成一上一下的对应关系,其中该第一基板具有一第一面及相对的一第二面,该第一基板的该第一面上成型设有至少一第一盲孔;其中该第二基板具有一第一面及相对的一第二面,该第二基板的该第一面上成型设有至少一第二盲孔;其中在该第二基板的每一该第二盲孔与该第一基板之间还具有至少一第一穿孔,或在该第二基板的每一该第二盲孔与该第一基板的每一该第一盲孔之间还具有至少一该第一穿孔;
至少两个电路层,每一该电路层包括一第一电路层及一第二电路层位于该第一电路层上方而形成一上一下的对应关系,其中该第一电路层设在该第一基板的该第一面上并能延伸设在每一该第一盲孔的内壁面上;其中该第二电路层设在该第二基板的该第一面上并能延伸设在每一该第二盲孔的内壁面上;
至少两个芯片,每一该芯片包括一第一芯片及一第二芯片位于该第一芯片上方而形成一上一下的对应关系,其中该第一芯片电性连接地设在该第一电路层上;其中该第二芯片电性连接地设在该第二电路层上;
至少两个绝缘层,每一该绝缘层包括一第一绝缘层及一第二绝缘层位于该第一绝缘层上方而形成一上一下的对应关系,其中该第一绝缘层为以压注技艺覆设在该第一基板的该第一面上;其中该第二绝缘层为以压注技艺覆设在该第二基板的该第一面上;及
一下部电路层,其设在该第一基板的该第二面上供用以向外电性连接;
其中由该第一基板、该第一电路层、该第一芯片及该第一绝缘层构成一下层芯片封装;其中由该第二基板、该第二电路层、该第二芯片及该第二绝缘层构成一上层芯片封装;其中该上层芯片封装堆叠地位于该下层芯片封装的上方,以此堆叠模式以形成该多层堆叠式芯片封装;
其中该第一芯片通过该第一电路层以与该下部电路层电性连接;
其中该第二芯片能选择通过该第二电路层并经由每一该第一穿孔以延伸至与该第一芯片电性连接,或选择通过该第二电路层并经由每一该第一穿孔以延伸至与该下部电路层电性连接。
2.如权利要求1所述的多层堆叠式芯片封装,其特征在于,每一该第二盲孔及每一该第一穿孔的垂直轴心与每一该第一盲孔的垂直轴心相同,以使每一该第二盲孔及每一该第一穿孔与每一该第一盲孔形成一相连通的洞孔。
3.如权利要求1所述的多层堆叠式芯片封装,其特征在于,每一该第二盲孔及每一该第一穿孔的垂直轴心与每一该第一盲孔的垂直轴心不相同,以使每一该第二盲孔及每一该第一穿孔与每一该第一盲孔无法相连通。
4.如权利要求1所述的多层堆叠式芯片封装,其特征在于,在该下部电路层的下方进一步设有一下部外护层,该下部外护层上具有至少一下部开口,每一该下部开口上分别设有一锡球以对外电性连接。
5.如权利要求1所述的多层堆叠式芯片封装,其特征在于,在该多层堆叠式芯片封装上进一步设有一上部基板、一上部电路层、一外部芯片及一上部绝缘层;其中该上部基板设于该第二绝缘层上,该上部基板具有一第一面,在该上部基板的该第一面成型设有至少一上部盲孔,其中在该上部基板的每一该上部盲孔与该第二基板之间还具有至少一上部穿孔,或在该上部基板的每一该上部盲孔与该第二基板的每一该第二盲孔之间还具有每一该上部穿孔;其中该上部电路层设在该上部基板的该第一面上并能延伸设在每一该上部盲孔的内壁面上;其中该外部芯片电性连接地设在该上部电路层上;其中该上部绝缘层为以压注技艺覆设在该上部基板的该第一面上;其中该外部芯片能选择通过该上部电路层并经由每一该上部穿孔以延伸至与该第二芯片电性连接,或选择通过该上部电路层并经由每一该上部穿孔及每一该第一穿孔以延伸至与该第一芯片电性连接,或选择通过该上部电路层并经由每一该上部穿孔及每一该第一穿孔以延伸至与该下部电路层电性连接。
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