[实用新型]改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器

权利要求书

1.一种改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括像素场效应晶体管及外围逻辑场效应晶体管，所述像素场效应晶体管包括电荷传输栅极及漂浮扩散有源区，所述电荷传输栅极靠近所述漂浮扩散有源区一端的栅极边缘区域与所述外围逻辑场效应晶体管对应的栅极边缘区域具有不同结构，所述电荷传输栅极靠近所述漂浮扩散有源区一端的栅极边缘区域的电场强度低于所述电荷传输栅极中心区域的电场强度。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述电荷传输栅极靠近所述漂浮扩散有源区一端的栅极介质层的边缘区域的厚度大于所述栅极介质层的中心区域的厚度。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于：靠近所述漂浮扩散有源区一端的所述栅极介质层的边缘区域的介电常数小于所述栅极介质层的中心区域的介电常数。

4.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于：所述电荷传输栅极中心区域的所述栅极介质层与所述外围逻辑场效应晶体管的栅极介质层具有相同材质及厚度。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述电荷传输栅极的表面覆盖有正电荷薄膜，通过所述正电荷薄膜改变靠近所述漂浮扩散有源区一端的栅极边缘区域功函数，以降低电场强度。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于：所述正电荷薄膜包括氧化铪层、氧化铝层、氧化钽层及氮氧化硅层中的一种或组合。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述电荷传输栅极靠近所述漂浮扩散有源区一端的栅极多晶硅层与所述电荷传输栅极靠近感光区域一端的栅极多晶硅层具有不同掺杂类型，以改变靠近所述漂浮扩散有源区一端栅极边缘区域功函数，降低电场强度。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于：靠近所述漂浮扩散有源区一端的不同掺杂类型的所述栅极多晶硅层的宽度介于40nm～50nm之间。

9.根据权利要求1-8中任意一项所述的图像传感器，其特征在于：所述漂浮扩散有源区及所述外围逻辑场效应晶体管的漏区均依次包括浅掺杂漏区及漏极主体区，且所述漂浮扩散有源区的浅掺杂漏区的深度大于所述外围逻辑场效应晶体管漏区对应的浅掺杂漏区的深度。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于：所述漂浮扩散有源区的所述浅掺杂漏区的掺杂浓度小于所述外围逻辑场效应晶体管漏区对应的所述浅掺杂漏区的掺杂浓度。