[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 202221662153.9 | 申请日： | 2022-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN218123353U | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | R·维拉;M·德桑塔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/495;H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
至少一个半导体芯片，布置在所述衬底上；
多个载流构成，耦接到所述至少一个半导体芯片；
其中所述衬底不包括将所述多个载流构成中的两个或更多载流构成彼此电耦接的导电构成；以及
至少一个电触点，在所述多个载流构成中的邻近载流构成之间，以提供多构成载流通道。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个载流构成包括：
载流构成对，包括布置在所述衬底上方的第一载流构成和第二载流构成，所述第二载流构成邻近于所述第一载流构成；以及
第三载流构成，邻近所述载流构成对而布置在所述衬底上方；以及
其中所述至少一个电触点包括在所述第一载流构成与所述第二载流构成之间的电触点，以提供第一多构成载流通道，所述第三载流构成提供第二单构成载流通道。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个载流构成包括：
第一载流构成，布置在所述衬底上方；
第二载流构成，邻近所述第一载流构成而布置在所述衬底上方；以及
第三载流构成，邻近所述第二载流构成而布置在所述衬底上方；以及
其中所述至少一个电触点包括：
第一电触点，在所述第一载流构成与所述第二载流构成之间；以及
第二电触点，在所述第二载流构成与所述第三载流构成之间；
其中具有所述第一电触点和所述第二电触点的所述第一载流构成、所述第二载流构成和所述第三载流构成提供单个多构成载流通道。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个电触点被定位在与所述至少一个半导体芯片的位置相对的所述载流构成中的邻近载流构成的远端处。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述载流构成包括布置在所述衬底上方的导电条带。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个电触点包括在所述邻近载流构成处的楔形接合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
